DRAM内存技术颠覆性的产品:第一台DDR5 DIMM的技术节点是什么?
DDR5是新一代的内存!所有主要的DRAM厂商都在向更快的DRAM DDR5迈进。DDR5也改善了电源管理(DDR4为1.1V vs. 1.2V)。已确定DDR5内存条产品之一，具有技术节点、模具设计、工艺技术。TeamGroup发布了ELITE 16GB DDR5 U-DIMM，其中JEDEC DDR5 on-die ECC是DDR5的主要特性。该U-DIMM共封装了8台DDR5设备，是美光公司首批商业化的DDR5产品之一。带有FBGA代码的DDR5设备D8BNJ，即MT60B2G8HB-48B:A，其中有一个16Gb的DDR5芯片。该设备和模具是我们发现的第一个DDR5产品到目前为止。有什么新的模具，他们使用了什么技术节点?
TechInsight'NAND＆DRAM记忆专家认为Micron DDR5显示广泛的系统设计应用，如：
- 高速高容量移动处理
- 5G网络和数据访问
- 增强现实(AR)
- 虚拟现实(VR)
- 人工智能
- 机器学习
下载美光DDR5产品简介
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早期微米DDR5电路和模级成像
图1所示。TeamGroup ELITE 32GB (2x16GB) DDR5 U-DIMM套件，配合美光DDR5设备
美光领先市场的器件规格
DDR5 DRAM产品支持转移率为4,800-5,600 Mbps，比今天的DDR4内存快得多。DDR5的操作电压也从DDR4的1.2V降低，提供用户的功耗降低20％，工作电压为1.1V。Micron D1z DDR5 16GB模具用于Teamgroup Elite DDR5 U-DIMM支持4800 Hz频率，CL40-40-40-77延迟和38,400 MB / s数据传输带宽，与DDR4相比，银行增加了一倍。
在快速查看了模具和它的技术之后，我们刚刚找到了它的技术节点，美光的D1z。Micron 16Gb D1z DDR5模具与Y32A模具标记，显示0.241 Gb/mm2位密度略低于微米16GB D1Z DDR4模具（0.247 GB // mm2）.与之前的DDR4相比，例如Micron公司的DDR4-3200 (Crucial RDIMM 64GBMTA36ASF8G72PZ)，采用新的电源架构带来更高的带宽、更高的时钟速率和更低的功耗(表1)。
| DDR型 | ddr4 - 3200 | ddr5 - 4800 |
|---|---|---|
| 父产品EX。 | 关键RDIMM 64 gb mta36asf8g72pz. |
TeamGroup精英16 gb DDR5 U-DIMM |
| 设备制造商 | 微米 | 微米 |
| 设备交货。 | DDR4 mt40a4g4jc - 062 E: E |
DDR5 MT60B2G8HB-48B: |
| VDD (VDDQ) | 1.2 V | 1.1 V |
| 带宽 | 25.6 GB / s | 38.4 GB / s |
| 延迟 | CL 22 | CL 40 |
| 死的标记 | Z32D | Y32A |
| 细胞设计 (技术节点) |
D1z | D1z |
| 死的能力 | 16 Gb | 16 Gb |
| 位密度 | 0.247 Gb /毫米2 | 0.241 Gb /毫米2 |
表1。比较器件特性和模具密度，美光DDR4-3200和DDR5-4800
图2。美光DDR5 16Gb模具和模具标记
第一DDR5模具Y32A，从Micron支持DDR5 DIMM产品使用16GB模具与基于D1Z的DRAM单元设计。由于使用的D1Z（不是D1α），芯片密度从DDR4没有增加。更先进的节点，如D1α生成将应用于下一个DDR5产品，以进一步提高功率效率和管芯密度。我们将挖掘此新型DDR5设备和技术，尤其是在外围设计，电路和晶体管特性上。
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