联想推出新款Snapdragon

发布日期:2019年2月20日
主要作者:史黛西·韦格纳、丹尼尔·杨

联想Z5 Pro GT

联想Z5 Pro GT

你从1数到22万要花多长时间?可能超过32秒,但据报道,联想预计32秒就能售出22万部备受期待的联想Z5 Pro GT旗舰手机。幸运的是,我们也有一些幸运。我们能够得到我们自己的Z5 Pro GT,我们可能会让那些试图买一个的人的心都碎了,因为我们继续做我们对手机做的事情……我们把它拆了。

联想的旗舰产品是在新的Snapdragon 855平台上设计的,这是一款无槽、6.39英寸的滑块手机,有四个摄像头——其中两个有索尼的图像传感器。查看Z5 Pro GT的规格可以发现它不能支持5G,但联想表示,他们将在今年晚些时候发布一款支持5G的Z5后续手机。

图1 Lenovo Z5 Pro GT主板

图1 Lenovo Z5 Pro GT主板

那么,新款骁龙855处理器怎么样?高通去年在夏威夷的Snapdragon活动上宣布了这款处理器,会上他们还展示了AT&T和Verizon等运营商的5G网络。但正如我们前面提到的,这款联想Z5 Pro GT不具备5G功能,这意味着联想可能在使用新处理器的其他高级功能。

新一代已经到来

以下是三星64Gb (8GB) LPDDR4X SDRAM K3UH7H70AM-AGCL的模具照片。我们已确认它具有三星的第2个10nm-class(1Y)LPDDR4X DIES。

其他设计获奖者

在我们看新的Snapdragon之前,这里有一个其他设计获奖者的快速列表:

图2三星1Y NM LPDDR4X模具

图2三星1Y NM LPDDR4X模具

图3三星模具标识

图3三星模具标识

新一代已经到来

以下是三星64GB(8GB)LPDDR4X SDRAM K3UH7H70AM-AGCL的芯片照片。我们已确认它具有三星的第2个10nm-class(1Y)LPDDR4X DIES。

图4闪存:东芝THGAF8T1T83BAIR

图4闪存:东芝THGAF8T1T83BAIR

闪存

东芝THGAF8T1T83BAIR, 256GB UFS 2.1,带有东芝64-L 3D NAND闪存芯片。

图5 Qualcomm WCN3998

图5 Qualcomm WCN3998

wi - fi / BT

让我们惊讶的是,我们发现了高通WCN3998 Wi-Fi - 6 (802.11ax)和蓝牙5.0无线组合IC,而且根据高通的说法,该芯片还支持数字FM。

图6 NXP Q3304

图6 NXP Q3304

NFC控制器

NXP赢得NFC插座。

图7 Qualcomm SDR8150

图7 Qualcomm SDR8150

射频收发器

与Snapdragon X24 LTE调制解调器配对的RF收发器是Qualcomm SDR8150。它可能是在14个nm finfet上的fabbed,这是我们迄今为止的最先进的节点蜂窝收发器。

图8高通QET5100

图8高通QET5100

包络跟踪集成电路

Lenovo Z5 Pro GT还拥有新的高通Qet5100,来自Qualcomm的新型信封跟踪器IC。

图9三星K3UH7H70AM-AGCL,8 GB LPDDR4X

图9三星K3UH7H70AM-AGCL,8 GB LPDDR4X

高通Snapdragon 855

联想Z5 Pro GT是全球首款采用高通骁龙855移动平台的量产智能手机。有趣的一点是:通常,三星Galaxy S系列旗舰智能手机是第一个使用高通Snapdragon新平台上市的,特别是针对美国市场发布的手机。

高通SM8150处理器被发现在Package-on-Package (PoP)组件的底部,其中包括新的三星8gb LPDDR4x DRAM K3UH7H70AM-AGCL在顶部,高通Snapdragon 855 SM8150在底部。

图10高通Snapdragon SM8150处理器- Top

图10高通Snapdragon SM8150处理器- Top

以下是Snapdragon 855 AP的包标记。它显示了SM8150。

图11 Qualcomm SM8150模具照片

图11 Qualcomm SM8150模具照片

非常感谢我们的实验室Col-SM-12 Col-Lgleagues的快速转变,让我们获得AP / Modem的模具信息和模具照片HG11-PC761-2。模具尺寸(密封)为8.48毫米x 8.64 mm = 73.27 mm2,在TSMC 7FF的涡流模具上表示17.9%的模具收缩时,与三星10LPP Fabbed Snapdragon 845模具HG11-P7872-2相比。

以前的Snapdragon 845,835和820处理器全部基于三星的10LPPFINFET(FF),10LPE FF和14LPP FF过程技术。但是,今年的Spapdragon 855不是由三星制造的,而是在7FF(7nm)过程中的TSMC。

音频IC.

音频获胜的两个去Cirrus逻辑与他们的CS47L35音频编解码器和CS35L41B音频放大器。

电源管理集成电路

乍一看,高通的电源管理ic有三种:PM8150、PM8150A和PM8150B。

射频前端模块

我们发现Qorvo QM77031和QM77033。在拆车过程中,科尔沃可能会取得更多的胜利。

定价怎么样?

在我们迫不及待地准备观看三星揭牌活动,并将目光投向三星Galaxy S10、Galaxy S10 Plus,以及三星为世界准备的任何其他产品之前,我们与成本经理Al Cowsky聊了聊SM8150的“假设”场景,谈到SM8150上较小的流程节点对定价的影响。

作为我们标准程序的一部分,我们清点了SM8150的引脚,测量了它的封装尺寸,甚至测量了它的模具面积。通过这些测量,我们估算了使用不同FinFET技术的处理器的价格:

流程节点 估计价格
确认 7海里 73.18美元
如果 10 nm. 116.23美元
如果 14 nm. $ 133.94

这些估计假设模具尺寸线性递增到10和14nm,并按比例增加封装尺寸。

展望未来

我们已经开始了对Snapdragon 855的基本楼层平面图分析,TechInsights将发布高通Snapdragon 855 AP/Modem芯片的数字楼层平面图分析报告。有关分析的详情,请联系我们,或登录您在TechInsights应用程序的帐户,以保持最新的报告进展。

TechInsights预计,高通Snapdragon 855将成为今年全球领先的旗舰智能手机的一个流行平台,特别是在即将到来的2019年移动世界大会上发布的许多产品中。TechInsights的Stacy Wegner和Daniel Yang今年将再次参加2019年世界移动通信大会,所以请在我们的博客和Twitter上关注我们。

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