打开意法半导体MasterGaN2 - Power TechStream博客

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blog-details2021年2月2日blog-detailsSinjin Dixon-Warren

TechInsights裂缝打开STMicroelectronics Mastergan2

TechInsights最近完成了对STMicroelectronics Mastergan1的完整分析。我们发现该设备包含两个相同的GaN系统模具,具有1017-W3V2P4模具标记,在带有栅极控制器的半桥配置中有线连接,具有 U1MEA 2019模具标记。根据STMicroelectronics.两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的RDS(ON)为150 mΩ,并名义上额定为650 V。我们的分析表明,U1MEA门控制器是用ST的0.35µm BCD6工艺制作的。MasterGaN技术的目标应用是65 W有源箝位反激式电源适配器,正如最近讨论的那样ST介绍

我们现在已经采购了STMicroelectronics Mastergan2的样本....


Sinjin Dixon-Warren,高级过程分析师

Sinjin Dixon-Warren是TechInsights的高级过程分析师,拥有超过20年的半导体分析经验,是电力电子分析的主题专家(SME)。他拥有多伦多大学化学物理博士学位;他的专业包括半导体物理和器件,材料科学和表面分析化学。

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