USED​​IC借助他们的SIC JFET技术 - 电源半导体Techstream博客

Sinjin Dixon-Warren
Sinjin Dixon-Warren,高级进程分析师
Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师,技术人员有超过20年的半导体分析经验,是一个主题专家(中小企业),用于电力电子分析。他在多伦多大学举行了化学物理学博士学位;他的一些特色包括半导体物理和器件,材料科学和表面分析化学。

10月8日,2020年

UnitedSiC是一家无晶链厂碳化硅(SiC)供应商,由罗格斯大学的一个研究团队于1999年创建。当SiC功率电子市场上的大多数供应商都追求SiC MOSFET和肖特阻挡二极管(SBD)技术时,UnitedSiC选择了支持SiC结FET (JFET)技术。

动力网络研讨会

JFET方法的优点是靠近态电阻(RDSON)值。通常,JFET以所谓的“CASCODE”配置中的低电压MOSFET串联连接。如最近所述eEPOWER.,这是一个“古老的想法的现代扭曲”。为了充分利用SIC技术,制造商已从20世纪30年代重新审视了一个想法,其中真空管串联有线,以形成比各个组件的性能更好的性能。该技术称为CASCODE,在双极结晶体管和MOSFET器件中多年来重新出现。

联合国带路的路与他们的SIC JFET技术一起旅行

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