发布日期:2019年12月12日
贡献作者：Sinjin Dixon-Warren，PHD
图1在Oppo Reno Ace内（模型PCLM10）
随着OPPO Reno ACE提供的VCA7GACH充电器能够驱动6.5A和10 V，以最大为65 W的电源，显然允许Reno ACE收取费用半小时。TechInsights已经获得了样品并使充电器对此进行了详细的拆解分析。
图2显示了VCA7GACH USB-C充电器。充电器为5.5厘米x 5.5cm x 3.1 cm，功率密度为11.4 w / in3，显着高于所达到的密度苹果A1720充电器和由此获得的相当RAVPower RP-PC104USB-C充电器。
图2 Oppo Reno Ace Super V00C充电器(型号VCA7GACH)
图3显示了VCA7Gach充电器中的主PCB的正面和背面。在PCB的前侧看到各种电感器和电容器，而在PCB的背面观察到电力集成SC1923器件。在VCA7GACH中发现的IC的完整列表如表1所示。
图3 OPPO RENO ACE SUPER V00C充电器主PCB
| 制造商 | 零件号 | 突出的标记 | 设备类型 |
|---|---|---|---|
| 台湾半导体公司 | HS2MA. | - | 二极管 |
| Power Integrations Inc. | SC1923C. | SC1923C. 24m8m046a. （标识） |
GaN电源IC. |
| 英飞凌 | bsz0902ns. | 0902纳秒 HAC927 （标识） |
功率MOSFET. |
| 阿尔法和欧米茄 | AON6220 | （标识） 6220 GV9T1S |
N沟道FET |
| 重庆平威企业有限公司 | ps10100lt. | ps10100lt. PYJGIBC |
功率整流器 |
| 线性技术 | LT9B32 | GBP810 LT俄文 + 9B32 - |
桥式整流器 |
表1 Oppo Reno Ace充电器设计获胜
对Power Integrations SC1923设备的x射线分析表明，它包含四个独立的模具，安装在一个传统的塑料引线框表面安装包。解封装显示该设备包含表2中列出的四个模具。DX101C1和DX121C是栅极驱动ASIC芯片，SB190C是GaN功率场效应管，DX120B3是Si MOSFET，驱动GaN功率场效应管共源共栅配置。
图4电源集成SC1923C封装x射线
| 制造商 | 零件号 | 突出的标记 |
|---|---|---|
| Power Integrations Inc. | DX101C1 | (商标)TM (m) (c) 2018 DX101C1 |
| Power Integrations Inc. | SG190C | (商标)TM （c）（m）2018 SG190C |
| Power Integrations Inc. | DX120B3. | DX120B3. (商标)TM 2017年 (c) (m) |
| Power Integrations Inc. | DX121C. | [徽标] TM（m）（c） 2018年 DX121C. |
表2 Power integration SC1923 Dies
图5 Power integration SG190C GaN Die
图6电源集成SG190C Gan-On-Sapphire Die General Surform结构
TechInsights现在已经在三种不同的USB充电器设备中确定了Power integration设备。Anker 30w PowerPortAtom PD 1发现充电器包含带有SG250F Gan-On-Sapphire Die的电源集成SC1933C设备。发现Aukey PA-U50充电器的一个版本包含电源集成Inn3166C设备。Inn3166C不含GaN的模具。好奇地，早期版本的Aukey PA-U50被我们的实验室包含Navitas NV6252设备。最后，本文讨论的VCA7GACH包含基于SG190C gan的器件。
TechInsights最近采购了权力集成的样本Inn3370C-H302-TLInnoSwitch3-Pro家庭数字化控制离线简历/ CC QR回扫切换器IC。比较包的x射线图像随后被膜剥除术中发现的这个设备显示SC1923 VCA7GACH充电器的朋友雷诺王牌可以确定是一样的INN3370C-H302-TL我们采购。
电力集成市场策略显然偿还，它们几乎肯定是在USB适配器市场中应用GaN的设备的领导者之一。10月，他们索赔已经向Anker交付了超过100万台基于gan的设备。
对新兴功率制程半导体产品进行定期、简洁的分析
基于事实的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）和硅（Si）的创新，竞争利用硅（Si）的新出现功率半导体技术分析。
