电源半导体：什么是抗性？
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Stephen Russell, Subject Matter Expert - Power Devices, explains RDS（ON）在这个8分钟YouTube video。
他讨论了电源设备三个技术因素之间发生的持续拔河战线：
- 国家
- 切换性能
- 稳健性和可靠性
提高动力设备中的上述因素之一倾向于妥协至少另外两个因素，那么动力半导体设计师如何有效地导航这一拔河码？更不用说费用的考虑了...
rDS（ON）并不是电力晶体管所独有的，但是与它们非常相关。电源设备不是数字化的，而是处理电能本身而不是信号的流动。因此，由于电力的极端水平，即使是效率损失百分比损失百分比的分数也可能很重要。
作为一个例子说明了不同的设备结构如何对该图产生根本性的影响，Stephen比较了我们对几个基因硅碳化物MOSFET进行的一些分析 - 它们的3路750 V代设备及其最近发布的3.3 kV设备。漂移区域的区别大于5个因子，它改变了R的总体值DS（ON）and the region of the device with the most significant contribution (shifting from the MOSFET channel in the 750 V case to the drift region in the 3.3 kV case.)
最后，斯蒂芬讨论了一个标准化的指标，可以比较来自不同供应商的不同电源设备的特定抗性或rDS（ON）*一个。
