TechInsight的内部波形分析项目包括:
- 快闪记忆体
- 独立应用程序中的闪存
- 嵌入式闪存在诸如微控制器的应用中
- 摄像机和手机的图像传感器
- OLED和LCD像素在电话，监视器和电视机中显示
对于闪存，波形分析提供了编程算法的细节，以及在各种设备操作和模式下编程、读取和擦除存储单元所需的内部产生的电压的测量。存储器在有源探头安排中进行测试，并在设备操作期间记录所选信号的电压痕迹。
我们的波形分析涉及目标信号的内部信号探测，以解释电路功能和系统算法，包括：
- 闪存编程算法需要编程，读取和擦除内存/存储设备
- CMOS图像传感器像素操作算法，用于传感和读出图像
- DRAM数据路径操作和定时
项目流动主步骤
1.电路提取
2.包装分析（解敷和修改）
3.闪存程序员和外部功能测试
4.探针垫放置(FIB)
5.波形捕获与分析
1.电路提取
提取的示意图通常是同一设备/模具的已经完成的电路报告（汽车）的一部分。如果没有汽车易于使用，则首先需要感兴趣的面积的电路提取来识别布局的感兴趣的信号，并确定是否可访问。
了解更多信息电路提取。
3.Flash程序员和外部功能测试
各种闪存程序员单元用于以各种操作模式操作NAND和闪存包，例如异步，多平面，特定供应商命令等
对于NAND Flash，命令和寻址可能因设备而异（例如每块的页数，字线寻址VS页面寻址，TLC VS MLC，命令前缀等），因此设备数据表是获取的最快方法此信息基于数据表生成适当的Flash程序员驱动程序
如果设备数据表未公开可用，则外部功能测试将内存系统（如SSD，电话，SD卡）内的闪存包连接到逻辑分析仪，以捕获控制器和NAND闪存设备之间的通信在系统操作期间，确定操作设备所需的命令和寻址方法。
然后，获取和分析的命令和从外部功能测试的寻址信息用于生成适当的闪存程序员驱动程序以操作目标NAND闪存设备
了解更多信息功能测试。
4.探针垫放置（FIB）
FIB垫放置挑战包括：
- 当前NAND闪存中较小的进程节点
- 金属化材料，厚度和宽度
- 在NAND闪存中较低金属和线间距的位线路接入到FIB BL信号（可能需要额外的FIB编辑）
- M2和M1上较低的金属信号很难在CMOS类型的3D-NAND设备上的阵列上FIB(背面FIB可能是一个选项)
了解更多信息功能测试。
5.波形捕获和分析
两种类型的NAND内部战争可交付成果：标准申报报告。
标准报告包括一组预定义的信号，如字线、位线、sourceline、PWELL等(总共约10个信号)。报告将包括NAND器件所有内存状态的所有程序、读取和擦除波形，例如TLC器件状态000到状态111，表列电压和状态分布图
自定义报告可以包括客户端需要的多个信号，例如，页面缓冲电路上的所有信号通过分析信号的施加电压和定时来了解电路操作。
自定义报告还可以包括程序，读取和擦除波形和任何其他需要支持他们的需要的额外请求
所有报告都将可选地包括所有波形数据的原始数据表文件，其中包含查看器应用程序作为最终可交付的一部分。原始数据表文件允许用户根据需要打开每个波形图形并自定义选择时间尺度，电压尺度和波形颜色
用于3D-NAND闪存中的程序，读取和擦除操作的捕获波形，例如如下所示，提供有关专利相关侵权分析的测试设备的程序算法的详细信息，或仅仅在其他供应商设计/解决方案上了解最新。
在标准类型的内部波形分析中，还提供了一种存储器阈值电压分布作为如何编程和分发不同存储器状态（用于MLC设备的4个状态和TLC设备的8个状态的4个状态）的摘要如下所示：
本次网络研讨会:NAND闪存和SSD设备分析技术-内部探测，波形分析等
本报告探讨了NAND闪存和SSD设备的一些创新领域，并提供了我们用于分析这些创新的各种测试方法的概述。
我们的价值
通过揭示别人无法掌握的先进技术的创新，我们证明了专利的价值，并推动最佳的知识产权和技术投资决策。
世界上最具创新性和颠覆性技术公司的技术和产品团队利用我们的见解来实现最佳技术投资决策。
通过将深厚的专利知识与世界上最先进的逆向工程和技术分析能力相结合，我们已经证明了一种无与伦比的能力，使专利与产品相匹raybet炉石传说配，并在先进技术市场提供可靠的使用证据。
我们的分析
我们的分析揭示了在电子电路，软件和制造过程中使用技术实现。它们用于获得有关技术创新的智能，并找到使用证据，证明专利价值为技术，法律和专利专业人员。
对创新有批判性的洞察力
我们使用最先进的设施，专有的工具和高度经验丰富的技术人员和工程师，以揭示消费电子设备的内在工作和秘密。
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