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我们的分析量化了未知,以帮助您做出明智的决定。我们可以确定将高级内存推向市场的成本,我们研究潜在的市场挑战,以帮助您确定您的风险是什么,并帮助您制定消除风险的策略。

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量身定制的内存分析,以满足您的需求

TechInsights的内存产品已经发展到提供集中会根据您的行业和角色需要的技术情报。

产品简单下载

DRAM功能分析(MFR)

包括:

  • 执行摘要支持图像集
    • 工艺节点和铸造识别
    • Cricital尺寸
    • 功能块的总结
    • 堆叠光学顶部金属和多模光在电路视觉交付。包括校准的测量和烦恼工具
    • 扫描电镜横断面和斜面成像
    • 13 - 15报告/年

DRAM: SWD和Sense Amp晶体管特性

包括:

  • 表征转变器报告(TCR)
    • IOFF与ION和IOFF与ID的通用曲线,LIN推导
      • 5个NMOS和5个PMOS子字线驱动晶体管,跨越多个VDD在85℃
      • 5个NMOS和5个PMOS感应放大器转换器,跨越多个VDD在85℃
    • 对于每个通用曲线数据点
      • 晶体管特性:我D,坐,我D,林,我, VT,林& VT,坐,ΔVGSG、SS、DIBL
      • 输出特性
  • 分析报道
    • 4报告/年
    • 趋势分析
    • 4个小时支持

DRAM外围设计(MDP):感觉放大器,Sub Wordline驱动程序

包括:

  • 对关键设备指标的简明分析总结
    • 读出放大器电路原理图
    • 一个子字线驱动器的电路原理图
    • 详细堆叠的一个延迟DRAM感应放大器和子字线驱动器的扫描电镜图像在电路视觉交付。包括校准的测量和注释工具
    • 〜4份报告/年

DRAM:电路分析

包括:

  • 全电路分析
    • 1 -内存阵列和外设
    • 2 - 地址路径
    • 3 -数据路径
    • 控制块,配置和测试块
    • 电压发生器系统
  • 选择模块电路分析
    • 1 -内存阵列和外设
    • 3 -数据路径
    • 5 -电压发生器系统*
      *根据事件和客户兴趣,TechInsights可能生成1个Select block电路分析,包括block(1,3,5)或2个Select block电路分析,包括block (1,3)
  • 分析报道
    • 1 /年
    • 选择1块/年

与非功能分析

包括:

  • 分析报道
    • 执行摘要支持图像集
      • 工艺节点和铸造厂标识
      • 临界尺寸
      • 功能块的总结
      • 堆叠光学顶部金属和多模照片交付在电路视觉,其中包括校准测量工具
      • SEM横断面影像
    • 13 - 15报告/年

NAND外围设计(MDP):页面缓冲区,字行驱动程序

包括:

  • 对关键设备指标的简明分析总结
    • 页面缓冲区的电路原理图:解码器、开关和控制器
    • 一个字线驱动程序的电路原理图:解码器和开关
    • 详细堆叠平面图扫描电镜图像的斜面NAND页缓冲区和worline驱动器交付在电路视觉。电路视觉包括校准测量和注释工具
    • 〜4份报告/年

NAND:电路分析

包括:

  • 全电路分析
    • 1 -内存阵列和外设
    • 2 - 地址路径
    • 3 -数据路径
    • 控制块,配置和测试块
    • 电压发生器系统
  • 选择模块电路分析
    • 1 -内存阵列和外设
    • 3 -数据路径
    • 5 -电压发生器系统*
      *根据事件和客户兴趣,TechInsights可能生成1个Select block电路分析,包括block(1,3,5)或2个Select block电路分析,包括block (1,3)
  • 分析报道
    • 1 /年
    • 选择1块/年

先进的工艺

包括:

  • 高级内存要点(AME)
    • 专注于领先的NAND和DRAM内存技术
    • 执行摘要支持大型图像集
    • 扫描电镜横断面和斜面成像
    • 用TEM EDS TEM横截面分析
    • 8报告/年
  • 分析报道
    • 按技术元素划分的技术趋势/路线图
    • 设计技术交互分析
    • 过程集成的详细解释
    • 下一个节点的预测
    • 3简报/年
    • 趋势分析
    • 预测
    • 1年度研讨会
    • 4个小时支持

流程流

*需要先进的工艺认购

包括:

  • 工艺流程分析(PFA)
    • 显示流程、体系结构、掩码列表和集成级流程步骤的电子表格
    • 8记忆/年
  • 流程流完全仿真(PFF)
    • PFA内容可更新
    • 布局将GDS完全分解为流程层
    • 3D仿真
    • 大纲输入(线路级甲板)*
      *需要Synopsys许可证来查看和修改
    • 6记忆/年
  • 分析报道
    • 单元设计技术交互分析
    • 从晶片中通过流程整合的详细说明晶片出
    • 工艺步骤,材料,设备类型,单元工艺
    • SEM和TEM的截面和顶视图图像
    • 层标注、具体流程模块、假设
    • 趋势分析
    • + 4小时的支持

嵌入式和新兴功能分析(MFR)

包括:

  • 分析报道
    • 专注于领先的嵌入式和新兴的内存技术
    • 执行摘要支持图像集
    • 工艺节点和铸造厂标识
    • 临界尺寸
    • 功能块的总结
    • 堆叠光学顶部金属和多模光在电路视觉交付TM
    • SEM斜
    • SEM横断面影像
    • 4报告/年

嵌入式和新兴过程分析

包括:

  • 分析报道
    • 专注于领先的嵌入式和新兴内存
    • 执行摘要支持大型图像集
    • 扫描电镜横断面和斜面成像
    • TEM横截面用TEM EDS
    • 按技术元素划分的技术趋势/路线图
    • 设计技术交互分析
    • 过程集成的详细解释
    • 下一个节点的预测
    • 4报告/年
  • 趋势分析-每年1次简报
  • 预测
  • 常见问题

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