定制内存分析以满足您的需要
巨额的前期研发投资要求客户拥有最新和准确的竞争情报
我们的分析将未知因素量化,帮助您做出明智的决定。我们可以确定将先进内存推向市场的成本,我们研究潜在的市场挑战,以帮助您确定您的风险是什么,我们帮助您确定降低风险的策略。
可用内存-NAND和DRAM订阅
TechInsights内存产品的开发旨在根据您的行业和角色提供您所需的重点技术情报。
DRAM功能分析(MFR)
包括:
- 图像集支持执行摘要
- 工艺节点和铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块的总结
- 在CircuitVision中提供堆叠光学顶部金属和多晶硅照片。包括校准测量和注释工具
- 扫描电镜横断面和斜面成像
- 13 - 15报告/年
DRAM: SWD和Sense Amp晶体管特性
包括:
- 晶体管特性报告(TCR)
- IOFF与ION、IOFF与ID的通用曲线,LIN由
- 5个NMOS和5个PMOS子字线驱动器晶体管,在85°C的多个VDD上
- 5个NMOS和5个PMOS传感放大器,在85°C下跨越多个VDD
- 对于每个通用曲线数据点
- 晶体管特性:ID.,坐,我D.,林,我从, VT.,林& VT.,坐,ΔVGSGm、SS、DIBL
- 输出特性
- IOFF与ION、IOFF与ID的通用曲线,LIN由
- 分析报道
- 4报告/年
- 趋势分析
- 4小时支持
与NAND内部波形分析
该通道检查在程序、读和擦除周期期间在NAND存储器单元上使用的波形。
- 在12个月内提交8份报告以及一个在线研讨会
- 提供一个波形摘要PDF和原始波形.sht文件,使客户能够执行进一步的分析和测量
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