英飞凌IMW65R107M1HXKSA1 650个V. CoolSiC电力基础摘要

该报告给出了基于MOSFET的英飞凌IMW65R107M1HXKSA1功率碳化硅（SiC）的分析。所述IMW65R107M1HXKSA1是650 V. CoolSiC N沟道增强模式MOSFET提供了性能可靠性的独特组合和缓解与英飞凌使用开发的SiC技术。该器件具有20 A和107毫欧S / d的最大连续S / d的电流的导通电阻，并且被设计为不间断电源（UPS），太阳能光伏逆变器，太阳能收集和EV充电设施applications.The完整PEF交付包括观测装置指标和显着特征，通过下面的未注释图像文件夹支持的一个单页的概要：

• 封装的光学照片，封装的X射线图像，管芯的照片，管芯的特征的光学照片
• 扫描电子显微镜（SEM）平面图中的装置的图像delayered到栅级
• 该器件结构的探索性俯视剖视图的SEM图像
• 该掺杂剂结构的详细的横截面扫描微波阻抗显微镜（SMIM）分析
• 对于一个标准的功率要点项目的图像集从用于SEM平面分析，对横截面为SEM结构分析单个平面，并为详细的结构分析单个样品SMIM一个delayered样品衍生。附加价值的信息，如对横截面的另外的平面，可以被包括在一个情况下，逐个
  

电源要点交付提供了基本的竞争基准信息，使多个竞争对手的技术的成本效益的跟踪。