高通Snapdragon 835先到10 nm

发表：2017年4月24日
作者：安迪·韦（Andy Wei）

与第一组三星Galaxy S8拆卸，我们现在可以使用“ 10 nm”类技术生产的第一批SOC。首先是10 nm生产终点线是基于三星LSI Foundry的10 nm LPE技术的高通Snapdragon 835。同时，三星自己的Exynos 8895同时发布，我们希望在第二组三星Galaxy S8拆除端中找到这些。

Qualcomm Snapdragon 835具有72.3毫米的死亡尺寸²。与113.7毫米的Snapdragon 820的模具尺寸相比²，这代表36％的死亡量收缩。高通Snapdragon 835似乎主要是Snapdragon 820/821家族的收缩，在类似的IP块中升级，但没有添加新的主要IP块。但是，CPU发生了重大变化。Snapdragon 820家族使用了一个非常大的面积2+2大小实现，这在移动应用程序处理器中似乎不合适。我们怀疑Kyro是为高通的ARM服务器野心设计的核心的重复使用。Snapdragon 835在Kyro 280中使用了更类似ARM的4+4大实施，这是我们在Hisilicon Kirin 960中已经看到的ARM Coretex-A73/A53实现的衍生物。

CPU的这一重大变化使整体尺寸减小，出现更重要的尺度因子。但是，查看具有更小变化的功能块，例如Adreno 540 GPU MP单元的Adreno 530，我们看到了更接近25％面积尺度的功能块。这是否表明了真实量表因子，还是这是由于没有进一步分析的情况而无法确定复杂性以同时增加复杂性。为了评估高通公司对三星10 nm LPE技术的实施，我们必须在功能块级别和标准单元格级别上看起来非常详细，以衡量栅极密度的增长和每个门级缩放的成本。为了进行准确的评估，我们已经在功能块水平，标准单元格和利用率，过程分析和晶体管表征上启动了广泛的分析。我们可以将这些分析与三星的14LPE和14LPP进行的分析进行比较，以实现实际规模因子，成本量表和性能差异。然后，我们将将其与我们在英特尔，苹果，中国科总成，Hisilicon等的分析库进行比较。

这是一个激动人心的时刻。在非常高的创新中，我们正在克服物理缩放限制并保持传统的成本和性能缩放，我们正在分析首次进入“ 10 nm”类技术。与14/16nm的所有球员相比，这种票价如何？尤其是，这如何符合英特尔最近对该行业报告实际晶体管密度作为技术指标的挑战？随着我们的分析开始升至门水平，更多的详细信息。