三星64L 3D V-NAND

三星电子在2017年1月面向关键IT客户推出了64L 3D V-NAND解决方案，并在6月为扩大普通市场而增加了产量。

创新包括以下亮点:

• 垂直NAND电池结构，71门，20nm BL半节距
• 一个NAND字符串配置可能有64个字行，4个dwl, 2个字符串选择行和1个接地选择行
• 共源线之间的9个通道孔集成，包括1个假孔
• 用于电荷陷阱层和隧道氧化物的叠层沉积
• 面膜设计更新，以进行WL垫修剪
• X-dec上的中压晶体管而不是低压晶体管

这个装置引起我们注意的原因有很多，我们对此进行了大量的分析。我们正在提供以下定义的关于三星64L 3D V-NAND的报告，以及通过我们的各种订阅产品和工具提供的信息。