三星kugar1fa - b2c1 92L 3D V-NAND闪存平面布局分析

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产品代码
生产商- 1903 - 803
发布日期
13/06/2019
可用性
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产品项目代码
SAM-KLUGGAR1FA-B2C1
设备制造商
三星
设备类型
快闪记忆体
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内存- NAND & DRAM
通道
内存- NAND平面分析
报告的代码
生产商- 1903 - 803
本报告提供了三星K9AHGD8J0A 3D V-NAND闪存芯片，从三星Galaxy S10+智能手机提取的三星kugar1fa - b2c1包中发现的内存平面图分析。
本报告载有下列详细资料:
  • 选定的拆卸照片，包装照片，包装x光片，模具标记，和模具照片
  • 扫描电子显微镜(SEM)的模具介电材料的一般结构的横断面显微图，主要特征在位线(BL)和字线(WL)方向
  • 从斜面样品的垂直通道水平和BL水平的中部的SEM平面观察显微图
  • 测量主要微观结构特征的垂直和水平尺寸
  • 模具延迟到多晶硅层的平面光学显微照片
  • 多晶硅模具照片上主要功能块的识别
  • 功能块尺寸及模具利用率表
  • 高分辨率的顶部金属和多晶硅模具照片交付在电路视觉软件
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