雪崩式40纳米pMTJ STT-MRAM高级内存精华

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产品代码
ame - 2009 - 801
发布日期
05/02/2021
可用性
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产品项目代码
REN-M30082040054X0IWAY
设备制造商
瑞萨
设备类型
MRAM
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内存-嵌入式和新兴
通道
内存-嵌入式和新兴过程
报告的代码
ame - 2009 - 801
ST-MRAM芯片的Advanced Memory Essentials (AME)包括一份简明的分析师总结文档，突出了观察到的关键维度和由以下图像文件夹支持的显著特征:
  • 下游产品拆卸
  • 包装x光片，顶部金属和多模照片，非侵入性光学照片的模具功能
  • SEM通过逻辑存储阵列和外围区域倾斜
  • 扫描电镜截面的一般器件结构，BEOL(金属，介质)和FEOL结构
  • 一个穿过MRAM电池并正交于字线的TEM横截面，显示MRAM电池、金属和介质、电池晶体管栅堆叠、隔离和其他FEOL特性
TEM-EDS分析的结果包含在AME摘要文档中。AME可交付成果提供了及时的竞争基准信息，并能够在广泛的竞争对手之间对技术创新进行成本效益跟踪。
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