产品代码
PFR-2011-801
可利用性
出版
产品项目代码
GAN-GS-065-011-1-L
设备制造商
GAN系统
设备类型
GaN功率场效应管
订阅
功率半导体
频道
功率半导体-氮化镓（GaN）平面布置图
报告代码
PFR-2011-801
本报告介绍了GaN系统GS-065-011-1-L器件的功率平面图分析。GS-065-011-1-L采用650 V、150 mΩGaN高电子迁移率晶体管，最大漏源击穿电压额定值为650 V。
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