联系我们 产品代码 再生能源- 2102 - 801 发布日期 可用性 在创建 产品项目代码 GSC-G2R120MT33J 设备制造商 诞生的 设备类型 场效应晶体管 订阅 功率半导体元件 通道 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图 报告的代码 再生能源- 2102 - 801 GeneSiC G2R120MT33J 3300V 120 m ω SiC MOSFET首款商用3.3 kV SiC器件20V栅极驱动，表明可靠的健壮栅极氧化区 一个独一无二的可靠，准确的数据库在您的指尖 我们的分析尽可能深入地揭示了广泛产品背后的内部工作原理和秘密。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 GeneSiC G2R120MT33J 3300V 120m ω SiC MOSFET功率平面图分析 诞生的 过程 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图 高效功率转换EPC2218 100V GaN电源布置图分析 高效能量转化 平面布置图 功率半导体-氮化镓(GaN)平面布置图 东芝TW070J120B 1200V碳化硅(SiC)工艺流程满 东芝 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程 东芝TW070J120B 1200V碳化硅(SiC)工艺流程分析 东芝 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程 UnitedSiC 750V, 18mΩGen 4 SiC FET电源要点 UnitedSiC 过程 功率半导体-功率要素 UnitedSiC 750V, 18mΩGen 4 SiC FET功率平面图分析 UnitedSiC 过程 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图 Microsemi MSC025SMA120B 1200V SiC电源平面图分析 Microsemi 过程 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图 UnitedSiC 750V, 18mΩGen 4 SiC FET工艺流满 UnitedSiC 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程 UnitedSiC 750V, 18mΩGen 4 SiC FET工艺流程分析 UnitedSiC 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程 英飞凌IM828-XCC 1200 V CoolSiC IPM电源平面图分析 英飞凌 包装 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图
