发布日期:2017年4月7日,更新日期:2017年4月25日
我们很高兴地宣布收到我们的银河S8。我们的博客详细介绍了拆卸结果,包括成本观察、10 nm LPE工艺验证、高通WTR5975千兆LTE收发器和信封跟踪电源评论、后向和前向摄像头信息、设计胜利列表等。我们鼓励你们滚动浏览,看看我们所发现的一切。
Galaxy S8成本观察
我们分析的64 GB三星Galaxy S8 (SM-G950W)的销售成本(COGS)估计为309.50美元。这是一个快速的转变,一旦我们做了全面的深入分析,可能会与估计有所不同。相比之下,我们在2017年2月发布的32gb三星Galaxy S7 (SM-G930V)的估计成本为243.00美元。如果我们将内存标准为64GB,以今天的NAND闪存数据计算,这一估值将跃升至257美元。
虽然三星Galaxy S8在逻辑上是Galaxy S7的继承者,但它实际上是对失败的Galaxy Note 7的更新,我们也在2017年2月发布了Galaxy Note 7。根据当时的市场价值数据,我们公布的COGS估算值约为270美元。
成本动因:
此次比较主要集中在盖乐世S7和盖乐世S8之间,必要时也会有一些例外。
三星Galaxy S8 SM-G950W | 三星Galaxy S7 SM-G930V | |
---|---|---|
应用程序处理器/调制解调器 | $60.50 | 40.00美元 |
电池 | $4.50 | 3.50美元 |
连通性和传感器 | 15.00美元 | 12.50美元 |
相机 | $29.00 | 24.50美元 |
显示 | 67.00美元 | 47.00美元 |
内存 | 42.50美元 | 28.00美元 |
混合信号/射频 | $22.50 | 21.00美元 |
电源管理/音频 | 9.50美元 | 9.00美元 |
其他电子产品 | 22.00美元 | 19.50美元 |
机械/外壳 | 21.00美元 | 18.00美元 |
测试/组装/支持材料 | 20.00美元 | 20.00美元 |
总计 | 313.50美元 | $243.00 |
应用程序/基带处理器:Galaxy S7出货时使用的是基于14纳米工艺的高通骁龙820四核MSM8996。这是一个成熟的部分,第一次看到大约15个月前。我们最近对它的成本估计大约是40美元。最初观察时,我们的成本估计大约是57美元。这种价格侵蚀来自正常的成本节约措施和利润率压缩。Galaxy S8将搭载基于三星10nm FinFET工艺的高通骁龙835八核MSM8998。这是我们观察到的第一个产品,估计价格为60.50美元。它明显高于目前估计的MSM8996,但仅略高于发射价格估计。
摄像机/图像:Galaxy S7和Galaxy S8都有类似的1200万像素的双像素OIS后置摄像头。Galaxy S8的前置摄像头从Galaxy S7的500万像素提高到了800万像素。三星电子还增加了在Galaxy S7上没有的虹膜扫描摄像头。因此,在改进的前置摄像头和虹膜扫描摄像头之间,我们看到这个类别的价格上涨了5.5美元。
连通性:我们看到连接价格上涨了2美元,主要是由于最新的Murata Wifi/蓝牙模块。它是第一个采用蓝牙5.0 LE的。
显示/触屏:全新的5.8英寸2960x1440四像素+Supermoled显示屏是一个怪兽。与Galaxy S7和Galaxy Note 7相比,它在高度上增加了400多行像素(总共增加了576000像素)。与Note 7一样,它是一个双边缘显示器,而Galaxy S7是平面的。它还内置了一个home键力触控传感器。我们对该显示器的快速转弯估价为67.00美元。相比之下,附注7的售价为55美元,Galaxy S7的售价为47美元。与Note 7相比,主要的成本因素是额外的像素和四像素技术。由于S7星系较小且边缘平坦,因此它的可比性较小。
内存:NAND闪存非易失性存储器在2017年第一季度经历了价格的大幅上涨。由于时间的原因,无论是Galaxy S7还是Note 7的售价都没有体现出这一点,因为它刚刚开始上升。在Galaxy S7中,我们看到了三星32GB MLC NAND闪存部件,当时估计价格为7.5美元。如果换成64GB的三星MLC NAND部件,目前的价格大约是21美元。现在,盖乐世S8采用了东芝64gb的部件,由于它不是内部制造的,我们估计三星购买它的成本为24美元,因此在非易失性内存方面存在差异。
另一方面,易失性内存自2月份以来一直在下降,因此我们预计三星在Galaxy S8中使用的4GB LPDDR4X内存将比我们几个月前对S7的估计稍微便宜一些。在这种情况下,它从大约20美元涨到了18.50美元。
非电子:盖乐世S8的主要外壳更接近于Note 7,价格与Note 7相当,为21美元。Galaxy 7的零部件价格约为18美元,因为体积更小,制造方式也不同。
射频组件:Galaxy S7使用了高通RF收发器WTR3925和WTR4905。Galaxy S8只使用了WTR5975,虽然Galaxy S7的两个部件增加了约5.50美元,但WTR5975更大的芯片和更高的功能要贵2.5美元,约为8.00美元!
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高通Snapdragon 835
高通Snapdragon 835应用处理器已确认采用三星的10纳米LPE工艺制造。我们能够确认68 nm接触栅间距,具有虚拟聚单扩散断裂(SDB)能力。通过横截面很难确定最小BEOL螺距,但一旦我们的功能块分析研究了具体的布局特征,我们希望发现公开发布的48 nm螺距是最小的。
总的来说,该工艺看起来类似于三星的14LPE和14LPP工艺,具有双浅沟槽隔离(STI)和额外的处理,以实现虚拟多极SDB。接触者被简化为一个级别,以避免口罩数量的大幅增加。虽然栅极具有介电帽,而且似乎具有自对准接触能力,但初始截面没有显示出太多的栅极帽的使用情况。
更新!第一个10纳米产品化完成线是高通骁龙835,基于三星LSI Foundry的10纳米LPE技术。更多信息请访问我们的10纳米博客。
无线电收发器和信封跟踪电源
S8包含了我们所见过的第一款新手机设计Qualcomm WTR5975千兆LTE收发器,以及新的QET4100信封跟踪电源。我们首先在一个移动LTE加密狗中观察到WTR5975。
WTR5975是骁龙835家族的成员。它是世界上第一个支持千兆LTE、LTE- u和5 GHz无授权频段支持的LAA的单片射频IC。它支持多达4个下行CA, 2个上行CA,所有3gpp批准的频带,包括3.5 GHz频带42和43,和4x4 MIMO在一个单收发芯片,大大减少了支持高级CA和MIMO配置所需的足迹。
WTR5975现在就在我们的实验室里,因为我们已经在全面生产了,在发射和接收路径上提取电路设计。现在我们有了新的QET4100,我们将开始生产这个设备的全芯片电路分析。请联系我们更多的信息和一个有关WTR5975和QET4100的产品简介.
前置摄像机
我们的实验室工作人员完成了对这款带有自动对焦和虹膜扫描仪的800万像素自拍相机的初步分析,这款相机由12.5毫米x 11.3毫米x 5.1毫米厚的组件组成。
这款G950W型号的自拍相机来自索尼。索尼通常不会在其背光小像素移动图像传感器芯片上使用传统的模具标记,但部件编号一直是据报道是IMX320.IMX320是堆叠(Exmor RS) CMOS图像传感器(CIS),模具尺寸为4.07 mm x 4.82 mm (19.6 mm)2),像素间距为1.12µm。我们的初步发现表明它是一个传统的背光(Exmor R)芯片,但我们将做更多的工作来了解它是否是一个堆叠(Exmor RS)芯片与直接键互连(DBI)。
虹膜扫描芯片采用了新的封装,与我们在Galaxy Note 7上发现的芯片相同。虹膜扫描仪模具有“S5K5E6YV”模具标记,尽管有一些内部争论,“V”是否实际上是一个“U”。无论如何,模具标记与Note 7的虹膜扫描仪相同。该芯片是一个单片(非堆叠)背光CIS,具有4.63 mm x 3.55 mm (16.4 mm)2)芯片尺寸和1.12µm的像素间距。更多详细信息可在我们的现货中找到Device Essentials Image Set and Summary report (DEF-1609-801).
当我们实验室的结果出来后我们会跟进后置摄像头的更新。
后置摄像头
Galaxy S8和Galaxy S8+都没有双后置摄像头。现在,这让我们很高兴,因为估算主摄像头的成本比较容易,但三星肯定是在用这些旗舰打“旗子”,不跟随苹果和华为走双摄像头的道路。由于没有后置广角摄像头,三星的最终材料成本削减了约12.50美元。
SM-G950W后置摄像头模块的厚度为11.3 mm × 11.3 mm × 5.5 mm。它包含一个堆叠,背光(Exmor RS)索尼模具,模具尺寸为5.64 mm x 6.76 mm (38.1 mm2)。虽然这与Galaxy S7的索尼IMX260的模具尺寸匹配,但我们确实看到了一些微小的差异在模具水平。每一个移动邮政,这应该是索尼IMX333。我们预计它将类似于IMX260,但将执行更多的分析,以检查任何新的自定义在这12mp, 1.4 MP双像素CIS。
我们也预计很快会收到更多来自其他地区的Galaxy S8手机,这些手机应该包含三星S5K2L2(后摄像头)和S5K3H1(前摄像头)的变体。这些细节将通过我们的图像传感器订阅服务发布。
Skyworks 2G SKY77365功率放大器模块
尽管AT&T宣布关闭他们的2G蜂窝网络,但在Galaxy S8 SM-G950W中发现的一个单独的Skyworks 2G RF PAM的出现表明,手机oem仍然有大量的兴趣和需求来构建支持传统网络频段的设备。即使其他美国移动电话运营商效仿美国电话电报公司,关闭自己的2G网络,2G移动电话仍将在英国和许多欧洲国家(如法国和德国)活跃,直到2022年。
问题是为什么要用单独的功率放大器?我们询问了我们内部的射频主题专家Tareq Salim,他的看法是:“…另一种多模式、多频带PAMs使用的放大器与本地2G GMSK[高斯最小移位键控]不匹配。GMSK的关键成功因素是拥有固定的增益,Skyworks SKY77365实现了这一点。”
NFC
我们现在已经对NXP PN80T NFC芯片进行了解码,在封装中发现了两个芯片:一个新设计的PN553 NFC控制器和一个安全元件控制器(可能是SmartMx)。根据NXP,安全元件是一个40纳米fabbed模具。此外,对这两种新型NXP芯片的进一步分析也将陆续出炉。
强制触摸和指纹感应–不同的解决方案
无限大显示屏的边缘到边缘、无边框的观看空间意味着,放置物理主键的珍贵空间不再可用。在这方面,三星的确追随了两家竞争对手的步伐,在Galaxy S8和Galaxy S8+的设计中采用了力触控解决方案(如果你是苹果的粉丝,那就是3D触控)。在这两款手机上,力触都被限制在一个特定的位置,也就是实际的家庭按键所在的位置。
在我们实验室的Galaxy S8和Galaxy S8+中,我们可以观察到,虽然位置相同,但两款手机的力触解决方案是不同的。在Galaxy S8中,三星使用了自己的力触组件。然而,Galaxy S8+采用了意法半导体指纹和力触感应芯片指尖产品系列.
如果不使用单独的家庭钥匙/指纹传感器组件可以节省成本,那么更大的面板和更多的像素仍然会导致更高的成本。盖乐世S8的价格比盖乐世S7和盖乐世Note 7分别高出40%和20%左右。
单板照片和部件
以下是我们迄今为止所发现的情况。上面是印刷电路板(PCB)正面和背面的图像,我们从中识别出以下部件:
制造商 | 零件号 | 函数 |
---|---|---|
Qualcomm | MSM8998 | 应用处理器 |
三星 | K3UH5H50MM-NGCJ | 4 GB LPDDR4X |
三星 | S6SY761X | 触摸屏控制器 |
三星 | S5C73C3 | 图像处理器 |
Qualcomm | WTR5975 | 射频收发器 |
Qualcomm | PM8998 | PMIC |
Qualcomm | PM8005 | PMIC |
格言 | MAX77838 | PMIC |
三星 | S2MPB02 | PMIC |
博通公司 | AFEM-9053 | 功率放大器 |
博通公司 | AFEM-9066 | 功率放大器 |
Skyworks | SKY78160-11 | 功率放大器 |
Skyworks | SKY77365 | 2 g功率放大器 |
东芝 | THGBF7G9L4LBATR | 64gb通用闪存存储 |
Qualcomm | QET4100 | 包络跟踪电源 |
Qualcomm | WCD9341 | 音频编解码器 |
格言 | MAX98506BEWV | 音频放大器 |
NXP | PN80T | NFC控制器 |
意法半导体 | LPS22HB | 气压计 |
意法半导体 | K2G2IS | OIS陀螺仪 |
意法半导体 | LSM6DL | 六轴惯性传感器 |
意法半导体 | FGBCH80DP | 指尖触屏控制器 |
诺尔斯 | SPH0644LM4H-1 | 麦克风 |