河东科技高级技术研究员
崔正东博士是TechInsights的高级技术研究员，拥有近30年的DRAM、(V)NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成经验。他定期为TechInsights Memory的订阅者提供博客内容。
崔正东博士是TechInsights的高级技术研究员，拥有近30年的DRAM、(V)NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成经验。他定期为TechInsights Memory的订阅者提供博客内容。
2020年10月8日
三星最终发布了他们的V6 V-NAND, 128L (136T)，每个垂直NAND串的门总数是136 (136T)。与三星V5 92L V-NAND相比，增加了36个堆叠门。三星980 Pro PCIe 4.0 NVMe M.2 SSD产品使用他们新的3D NAND一代128L。过去，三星为Pro SSD系列采用MLC NAND，例如，970 Pro SSD与MLC (64L)，而Evo和Evo+保持TLC (64L和92L)。然而，980 Pro移到了TLC (128L)。
256Gb的模具平面图(图1)显示了一排四平面的模具，这是3D NAND模具设计的独特之处。136年盖茨包括5假WLs和3选择器堆NAND串和垂直通道(VC)由一个VC蚀刻孔集成过程,这意味着他们保持层(甲板)结构与一个非常高的长宽比(HAR)等离子体蚀刻过程不同于KIOXIA / WDC, SK海力士和微米/英特尔的2层的过程。三星对GSL和W CSL通道区域都保留了SEG流程。
