Everspin Technologies先进的1gb 28nm STT-MRAM产品

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blog-details3月16日,2021年3月16日blog-details博士博士选择

Everspin Technologies先进的1gb 28nm STT-MRAM产品

我们已经等待了很长一段时间,以看到Everspin的新独立的1千兆(Gb)旋转扭矩转移磁电阻随机存取存储器(STT-MRAM)器件的技术细节,28纳米工艺,这是世界上第一个1gb的STT-MRAM产品和Everspin的第四代MRAM技术。除了英特尔和美光XPoint内存产品外,大多数新兴内存设备,如MRAM、ReRAM和FeRAM,都被开发用于嵌入式非易失性内存(eNVM),而不是离散的新兴内存芯片。

Everspin和GlobalFoundries(GF)以来,自40纳米MRAM开发和制造过程以来一直是合作伙伴。现在我们,TechInsights,正在挖掘他们的28纳米1 GB STT-MRAM技术细节。从Everspin提取了从EMD4E001G16G2,最新和最高容量的独立STT-MRAM设备的1 GB STT-MRAM模具。ST-DDR4接口用于易于集成到存储,计算和网络应用程序中....


博士博士选择,高级技术研究员

济东博士是TechInsights的高级技术研究员。他在DRAM,NAND / NOR闪存,SRAM /逻辑和新兴记忆中拥有近30年的半导体行业,R&D和逆向工程经验。raybet炉石传说他为SK Hynix和Samsung Electronics工作了20多年。他加入了TechInsights,并一直专注于半导体过程,装置和架构的技术分析。他在内存技术中写了许多文章,包括DRAM技术趋势,2D和3D NAND流程/设备集成细节,以及STT-MRAM,XPoint,Reram和Feram设计和架构等新兴内存。他季刊在DRAM,NAND和新兴记忆中产生了广泛的分布式内存路线图。

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