记忆技术从TechInsights 2021网络研讨会亮点
由于存储、移动和AIOT市场对内存芯片的需求强劲且不断增长，所有的内存厂商都在努力提高密度/性能，降低制造成本，并为每一代开发新的和创新的技术。TechInsights一直在追踪并深入研究它们，包括DRAM、NAND Flash和新兴存储设备(如STT-MRAM、ReRAM、FeRAM和3D XPoint memory)的技术趋势和创新工艺/设计变化。我们将在网络研讨会上进行概述和讨论。
目前，三星、美光、SK海力士等主要企业已经将D/R缩小到15纳米以下。他们已经开发了n+1和n+2代，也就是所谓的1b(或1β)和1c(或1γ)，这意味着DRAM电池的D/R可以进一步缩小到12纳米或以上，无论是否采用EUV，用于DRAM电池模式。由于过程完整性、成本、电池泄漏、电容、刷新管理和传感边际等关键挑战，电池扩展变得越来越慢。一些创新的技术，如高介电材料，柱状电容器工艺，凹槽沟道晶体管和HKMG的采用，可以从先进的DRAM单元设计中看到。此外，3D DRAM、高带宽内存(HBM3)、图形DRAM (GDDR6X/7)和嵌入式DRAM (10nm/7nm)技术将延长DRAM的寿命和应用。
主要的NAND制造商正在赛车增加垂直3D NAND门的数量，它们都引入了1 yyl 3D NAND器件，例如三星V7 V-NAND，Kioxia和Western Digital Company（WDC）BICS6，Micron 2ND Gen。CTF CUA和SK Hynix 2ngen. 4D PUC NAND。除了存储密度，3D NAND原型还用于超低延迟NAND应用(存储类内存)，如三星Z-SSD和KIOXIA XL-FLASH。3D NAND钻头密度高达10.8 Gb/mm2(SK Hynix 176L 512Gb TLC)和12.8 Gb/mm2（英特尔144L 3-Deck QLC）。YMTC 128L XTacking产品恰好在拐角处。
英特尔扩展了XPoint内存应用程序，不仅用于传统的SSD，还用于DCPMM持久内存。英特尔OptaneTMP5800X SSD产品采用第二代XPoint存储技术，采用四栈PCM/OTS单元结构。Everspin第三代独立256Mb STT-MRAM (pMTJ)和1Gb STT-MRAM，三星和索尼的新28nm eSTT MRAM (pMTJ)， Avalanche eSTT MRAM (pMTJ) 40nm节点，Dialog Semiconductor(老Adesto Technologiesn富士通45nm ReRAM 130nm FeRAM产品已于2020年和2021年上市。
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