发布时间:2018年4月11日
特约作者:崔正东，高级技术研究员
我们在TechInsights很高兴地报告，我们已经发现并分析了三星18纳米DDR4 DRAM芯片上的Anti-fuse阵列块。
Anti-fuse是嵌入式NVM技术之一，包括:
- 嵌入式闪存
- 罗
- eFuse(电气保险丝)
- FG / CTF闪光
- Anti-fuse
eFuse是一种一次性可编程(OTP)存储器，通过强迫高电流密度通过导体连接，使其电阻显著提高而编程。反熔丝是另一种OTP型NVM，但其电路与熔丝有很大的不同。反熔丝电路在开始时具有高电阻状态，并在低电阻状态下施加电应力进行编程。
反熔丝NVM技术已经使用Kilopass额外的处理步骤实施了几十年。Kilopass是第一个采用1T或2T位单元结构的标准CMOS工艺开发它的公司。
我们将三星的8gb 18nm DDR4 DRAM芯片延迟到栅级，并在外围区域发现了反熔丝OTP阵列块。反熔丝块位于模具的两侧，如图1所示。每个防保险丝块由六个子块组成。
图1所示。在三星8gb 18纳米DDR4 DRAM芯片上的反熔丝OTP阵列块(橙色-col-sm-12色)(延迟到gate级)。
对于反熔丝存储器技术，一个或多个晶体管可以用于一个位单元。三星的DDR4 DRAM反熔丝位单元结构由两个晶体管组成:一个选择晶体管和一个可编程晶体管。当可编程晶体管的栅氧化物是完整的，读晶体管返回一个二进制零;打破门会产生一条导电通道，返回一个二进制路径。字间距为0.20µm，位胞面积为0.12µm2．TechInsights的结构/材料/设计分析报告三星K4A8G085WC-BCRC 1x nm 8gb DDR4 SDRAM包含更多的细节。
下载三星18nm DDR和LPDDR4X的产品信息
我们的产品信息包括:三星K3UH5H50MM-NGCJ (LPDDR4X Mobile SDRAM)和K4A8G085WC-BCRC (DDR4)。
