东芝集成二极管到SiC MOSFET - Power TechStream博客

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blog-details2020年12月21日blog-details斯蒂芬罗素

东芝集二极管进入SiC MOSFET

每种碳化硅（SIC）制造商似乎有自己的FET制造方法。是平面，沟渠，JFET等。整个市场上没有主导设计。东芝最近发布的第2代1200 V SIC MOSFET包括设备结构上的另一个有趣的转折。一个肖特基势垒二极管(SBD)， VF为-1.35 V被合并在模具的顶部。这补充了增强模式MOSFET，其RDS(ON)为70 mΩ封装在TO-3P(N)封装。

东芝已经提供了一系列碳化硅mosfet和二极管，并开始将其技术集成到模块中。这些甚至达到了自己系统级产品的形式东芝G2020系列不间断电源（UPS）。与其Si-IGBT的对应对手G9000相比，它们陈述这一点将转换损耗降低近50％。

标签:力量SIC MOSFET.东芝

斯蒂芬罗素，高级过程分析师-动力器件

作为电力设备的主题专家，斯蒂芬罗素保持了解整个行业的发展。策划整个平台的内容，包括研讨会、简报和推荐用于逆向工程分析的新产品。raybet炉石传说支持一个公平的市场，在那里半导体和电子知识产权可以被创新和货币化。

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细节

英特尔第二代XPoint内存

4月30日，2021年4月博士博士博士第二代Xpoint记忆 - 值得一直很长的等待进展吗？2017年，TechInsights分析了英特尔第一Gen的细节。xpoint内存（Optanetm存储器16GB，MEMPEK1W016GA）包括结构
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30. 4月
高通公司延长了他们的MMWAVE领导地位

高通公司延长了他们的MMWAVE领导地位

4月21日，2021年4月21日凯尔·诺兰高通公司延伸他们的MMWAVE领导地位5G MMWAVE仍远非全世界采用，但高通仍然在踏板上留在踏板上。没有人尾巴真的很近。高通公司的SR.董事之一
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21 4月
三星D1Z LPDDR5 DRAM与EUV光刻（EUVL）

三星D1Z LPDDR5 DRAM与EUV光刻（EUVL） - 内存博客

2021年4月16日博士博士最初发表在三星D1Z LPDDR5 DRAM上，最后是EUV光刻（EUVL）！经过几个月的等待，我们已经看到三星电子应用极端紫外线（EUV）光刻技术为D1Z DRAM
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16 4月
世界上第一个1 GB 28 NM STT-MRAM产品 - 通过everspin

世界上第一个1 GB 28 NM STT-MRAM产品 - 通过everspin

三月ch 30, 2021 Embedded & Emerging Memory World’s First 1 Gb 28 nm STT-MRAM Product - by Everspin Everspin’s new 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive Random Access Memory (STT-MRAM) device with a 28 nm process is the world’s first 1
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31 三月
细节

TechInsights通过投资组合分析确定BlackBerry的最高价值专利资产

2021年3月23日，Abdullah Rahal TechInsights通过投资组合分析来确定一些BlackBerry的最高价值专利资产TechInsights的分析师研究了BlackBerry Poldovio并将其分成十几个应用领域
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23 三月
Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用

Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用

2021年3月23日，2021年3月23日博士用于超低延迟NAND应用的新XL-Flash我们已经发现了一个新的XL-Flash产品，具有来自Kioxia的96L Bics4 NAND Cell架构。根据Kioxia的说法，XL-Flash非常低延迟，高
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23 三月
细节

动态视觉传感器 - 简要概述 - 图像传感器Techstream博客

3月16日，2021年ZIAD Shukri动态视觉传感器 - 简要概述动态响无常传感器是异步成像仪。与人眼一样，它们旨在响应亮度的变化，没有“框架”才能捕获。DVS，个人
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18 三月
先进的1 Gb 28 nm STT-MRAM产品来自Everspin Technologies

先进的1 Gb 28 nm STT-MRAM产品来自Everspin Technologies

三月ch 16, 2021 Dr. Jeongdong Choe Advanced 1 Gb 28 nm STT-MRAM products from Everspin Technologies We’ve been waiting for a long time to see the technology details of Everspin’s new stand-alone 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive
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16 三月
细节

一个新的和先进的ReRAM来自富士通

2021年3月9日，富士通博士博士博士从富士通进行了新的和先进的雷兰克兰，我们一直在富士通半导体分析新的RERAM产品。富士通8 MB MB85AS8MT是世界上最大的密度，作为独立的批量生产的Reram产品。这
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11 三月
2021年GaN USB-C充电器市场升温

2021年GaN USB-C充电器市场升温

2021年3月10日Sinjin Dixon-Warren电力技术GaN USB-C充电器市场在2021镓氮化镓（GaN）的高功率USB充电器用于智能手机，平板电脑和笔记本电脑是电力电子市场的不断增长的区域。TechInsights.
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10 三月
商用高压碳化硅器件的展望

商业高压碳化硅器件的前景 - 摘要

2021年3月03日，彼得吉姆蒙电力技术博士商业高压碳化硅器件前景 - 摘要SIC电源器件有可能达到超过30千伏的电压额定值，但今天，SIC芯片制造商集中在一起
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03. 三月
网络研讨会:选定的成像和传感器趋势和比较

网络研讨会:选定的成像和传感器趋势和比较

2021年3月3日图像传感器技术网络研讨会:选定的图像和传感器趋势和比较现在随需应变!本次网络研讨会的目的是分享我们2020年图像传感器设备要点(DEF)订阅年度精选内容
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03. 三月
LIDAR 101.

LIDAR 101 - 固态和机械楣

对于激光雷达制造商来说，2020年是激动人心的一年。5家激光雷达公司(Velodyne Inc、Luminar Technologies Inc、Innoviz Technologies Ltd、Aeva Inc和Ouster)
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19 2月
网络研讨会

网络研讨会：为电动车（EV）革命而准备

介绍：Stephen Russell＆TechInsights电力订阅为电子车辆（EV）革命状态的艺术电脑的革命状态全球推动绿色能源正在加速。十年前，电动汽车（EVS）是一个
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03. 2月
Qualcomm Snapdragon 888.

Xiaomi Mi 11中的高通Snapdragon 888为市场带来了一个新的5纳米进入

随着Snapdragon 888的发布，高通发现自己在与其他5纳米产品竞争
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03. 2月
三星Galaxy S21.

三星Galaxy S21 - 竞争对手5 NM解决方案，新设计胜利，LPDDR5带1Z EUV？

2月02日，2021拆毁破坏性技术三星Galaxy S21 - 竞争对手5 NM解决方案，新设计胜利，LPDDR5带1Z EUV？从发布公告中，它似乎是三星Galaxy S21旗舰手机将有点一点
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02. 2月
RECAP的三星的108MP图像传感器

三星1.08亿像素图像传感器概述-图像传感器TechStream博客

2月02日，2021年2月Ziad Shukri在2019年回顾了三星的108MP图像传感器，三星推出了移动应用的第一个108MP图像传感器 - S5KHMX带有IsocellPlus®技术。我们首先在后面（宽）凸轮中确认使用
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02. 2月
技术

TechInsights裂缝打开STMicroelectronics Mastergan2 - Power Techstream博客

2月02日，2021年Sinjin Dixon-Warren TechInsights裂缝开放STMicroelectronics Mastergan2 TechInsights最近完成了STMicroelectronics Mastergan1的全面分析。我们发现该设备包含两个相同的GaN系统模具
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02. 2月
技术

英特尔显示早期的庞特维奇奥部分-逻辑技术流博客

2021年2月1日，2021年Dick James Intel偶尔会出现早期的Ponte Vecchio部分，我们将在媒体中看到一些我们认为值得评论的媒体，并作为“如果你错过了它”（ICYMI）博客。在这种情况下，它是英特尔的Twitter帖子
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01. 2月
支持半导体行业的知识产权战略

支持半导体行业的知识产权战略

支持在半导体行业中的IP策略越来越复杂，芯片市场的复杂性使其比以往任何时候都更加困难，以监测发展，使逆向工程成为一个关键的过程反向的宽度raybet炉石传说
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27 1月
索尼D-TOF传感器在Apple的新Lidar相机中找到

索尼D-TOF传感器在Apple的新Lidar相机中找到

苹果的激光雷达相机首次出现在2020年的iPad Pro上;不出所料，我们在10月份的iPhone 12 Pro上看到了同样的部件。行业
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19 1月
技术

Hisilicon向天线转向调制解调器解决方案 - 移动RF TechStream博客

2021年1月12日John Sullivan Hisilicon向天线转向调制解调器解决方案Hisilicon为华为的移动手机提供了RF收发器和移动SoC，但RF前端传统上是从通常的前端采购
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12 1月
记忆

英特尔推出2nd-Gen 3D XPoint内存，在IEDM - Memory Techstream Blog讨论

12月16日，英特尔举行了“记忆与存储时刻”(Memory & Storage Moment)，宣布了五款新的内存和存储产品;两个Optane™ssd，一个用于数据中心，另一个用于数据中心
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28 12月
权力

东芝集成二极管到SiC MOSFET - Power TechStream博客

2020年12月21日，2020年斯蒂芬罗素东芝集成二极管进入SiC MOSFET，每种碳化硅（SIC）制造商似乎有自己的FET制作方法。是平面，沟渠，JFET等。在整个方面都没有主导设计
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21 12月
Apple M1.

苹果M1的分析正在发生 - 以及热成像？

迪克·詹姆斯，杰克斯·迪克詹姆斯是一家近50年的半导体行业的老将，工作在半导体器件的过程开发，设计，制造，包装和逆向工程中。raybet炉石传说迪克是一个常规的贡献者
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21 12月
ipwatchdog.

网络研讨会：汽车供应链中半导体IP的值增加

当今汽车供应链中的半导体IP增加，汽车不仅仅是运输设备。汽车是具有娱乐系统的热点，最先进的通信能力，以及最前沿
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17 12月
阿

两个新的Apple SoC，两个市场事件：Apple A14和M1

可用逻辑订阅>流程和高级包装>流程>晶体管表征> SOC设计分析>数字平面图分析>分析 - 数字平面图>标准单元GDS库分析>晶体管
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16 12月
拆除：Velodene Lidar Puck VLP-16传感器

拆除：Velodene Lidar Puck VLP-16传感器（电子技术360）

深入潜入光检测和测距技术中使用的主要部件。张贴在电子360中。
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14 12月
USB-C电源传输适配器中的新兴GaN技术

网络研讨会：USB-C电源交换机中的新兴GaN技术

在USB-C电力交付适配器中的新兴GaN技术此次活动由Sinjin Dixon-Warren＆TechInsights电源适配器提供USB连接在现代生活中无处不在。我们使用的精彩移动设备需要定期连接
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09. 12月
3D闪存，176层！

3D闪存，176层！

到目前为止，NAND Flash已经显示出白热阶段。不久前，存储供应商仍然“看到闪存的高平台上的风景”，有128层。
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09. 12月
无线充电速度升高 - Teardown Techstream博客

无线充电速度升高 - Teardown Techstream博客

Stacy Wegner，高级技术分析师Stacy Wegner是TechInsights的拆解部门高级技术分析师，负责确保我们的分析师产生的高度技术数据转化为可消耗的竞争力
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08. 12月
内存技术2020及以后

网络研讨会:内存技术2020及未来——NAND, DRAM，新兴和嵌入式内存技术趋势

Memory Technology 2020及以外的NAND，DRAM，新兴和嵌入式内存技术趋势本次网络研讨会由TechIngs介绍，Jeongdong Choe博士将详细审查最新的NAND，DRAM，新兴和
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02. 12月
网络研讨会：审查Apple iPhone 12的技术和财务影响

网络研讨会:苹果iPhone 12的技术和财务影响的检验

考察苹果iPhone 12的技术和财务影响本文由TechInsights介绍了TechInsights和Bloomberg Intelligence分析师，因为它们分享了对苹果最多的技术和财务见解
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10 11月
在STMicroelectronics masterergan1集成GAN高电压半桥

内部意法半导体masterergan1集成GAN高压半桥-TechStream功率半导体博客

Sinjin Dixon-Warren，高级进程分析师Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师，技术人员拥有超过20年的半导体分析经验，是电力电子分析的主题专家（中小企业）。他持有A.
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03. 11月
微加载及其对器件性能的影响

微加载及其对器件性能的影响

如何使用SEMulator3D来研究先进DRAM过程中的微加载和制造可变性，该过程呈现出一个摆动的AA轮廓。
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02. 11月
网络研讨会:商用存储设备ALD/ALE过程

网络研讨会:商用存储设备ALD/ALE过程

商业上可用的存储器设备中的ALD / ALE进程2018 SAVE MEMORT产品制造商SAMSUNG，HYNIX，TOSHIBA和MICRON引入64或72堆叠的层3D-NAND器件，并进入1倍一代DRAM设备。这个演示会将
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28 10月
Apple iPhone 12 Pro Deatdown

10月苹果：Apple iPhone 12 Pro Teardown - Teardown Techstream博客

Stacy Wegner，高级技术分析师Stacy Wegner是TechInsights的拆解部门高级技术分析师，负责确保我们的分析师产生的高度技术数据转化为可消耗的竞争力
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26 10月
iPhone相机历史:iPhone 12的可选和普通

iPhone相机历史:iPhone 12的可选和普通

iPhone相机的进化历史也可以被视为手机开发的历史，即使iPhone没有完全遵循CIS技术趋势的推进。只是借此机会，还要通过最后一次
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21 10月
新GDDR6X来自美光-内存TechStream博客

新GDDR6X来自美光-内存TechStream博客

河东选择，高级技术研究员博士博士博士是一家高级技术研究员，拥有近30年的半导体流程集成的经验，为DRAM，（v）NAND，SRAM和逻辑器件。他经常提供博客
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15 10月
意法半导体在Galaxy Note系列中取代索尼ToF

STMicroelectronics在Galaxy Note系列中取代索尼ToF - 图像传感器Techstream博客

Ray Fontaine，产品经理 - 图像传感器射线是世界上卓越的图像传感器技术专家之一，他定期发布图像传感器分析内容和TechInsights订阅者的评论。10月11日，2020年三星
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11 10月
一名新的球员在GaN充电器市场出现 - Innoscience Inn650D02发现在Rh-PD65W USB-C充电器内部

一名新的球员在GaN充电器市场出现 - Innoscience Inn650D02发现在Rh-PD65W USB-C充电器内部

贡献：Sinjin Dixon-Warren，博士学位在USB-C充电器中氮化镓（GaN）技术的出现是半导体市场的新趋势。在过去的一年中，TechInsights从Navitas和权力中找到了GaN技术
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08. 10月
在三星128L（136T）3D V-NAND上快速查看

快速查看三星128L（136T）3D V-NAND - Memory Techstream Blog

河东选择，高级技术研究员博士博士博士是一家高级技术研究员，拥有近30年的半导体流程集成的经验，为DRAM，（v）NAND，SRAM和逻辑器件。他经常提供博客
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08. 10月
UnitedSiC用他们的SiC JFET技术走了一条少有人走的路

UnitedSiC用他们的SiC JFET技术走了一条少走的路——功率半导体TechStream博客

Sinjin Dixon-Warren，高级进程分析师Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师，技术人员拥有超过20年的半导体分析经验，是电力电子分析的主题专家（中小企业）。他持有A.
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08. 10月
雪崩40nm pMTJ STT-MRAM

雪崩40 nm pmtj stt-mram - Memory Techstream博客

河东选择，高级技术研究员博士博士博士是一家高级技术研究员，拥有近30年的半导体流程集成的经验，为DRAM，（v）NAND，SRAM和逻辑器件。他经常提供博客
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25 九月
混合粘合膨胀

混合键合从图像传感器扩展到逻辑，内存-图像传感器，逻辑和内存TechStream博客

迪克·詹姆斯，杰克斯·迪克詹姆斯是一家近50年的半导体行业的老将，工作在半导体器件的过程开发，设计，制造，包装和逆向工程中。raybet炉石传说迪克是一个常规的贡献者
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25 九月
网络研讨会:空间、电源、光束——缩短在5G芯片设计和制造方面取得优势的路途

网络研讨会：空间，电源，梁 - 缩短艰苦跋涉，以获得5G收发器设计和制造的边缘

空间，动力，梁缩短艰巨，以获得5g收发器设计的边缘，移动射频景观已经变得更具竞争力，引进了5克，辅以相关创新旨在解决各种各样的创新
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23 九月
DRAM，3D NAND面对新的挑战

DRAM，3D NAND面对新的挑战

半导体工程 - 各种记忆和商业前景都在地图上，有时会字面意思，有很多困惑。
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21 九月
SK Hynix 128L 3D PUC NAND

SK Hynix 128L 3D PUC NAND（4D NAND）

SK Hynix发布了世界上第一个128层（128L）3D NAND，他们已被称为4D NAND。这是他们在单元（PUC）架构下的外围建造的第二个NAND一代;第一个是他们的96L NAND。在PUC架构中，外围设备
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14 九月
Intels Intel Realsense L515 LIDAR相机

Intels Intel Realsense L515 LIDAR相机

引言激光雷达传感的世界正在不断发展。旋转炮塔Lidars是自主驾驶等应用的常见场所（参见我们的汽车LIDAR Teardown订阅），但它们被新一代固态移位
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11 九月
网络研讨会：市售逻辑设备中的ALD / ALE过程

网络研讨会：市售逻辑设备中的ALD / ALE过程

2018年，英特尔推出了以10纳米微处理器为主导的finFET晶体管为特色的新一代逻辑产品，随后是台积电和三星
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26 八月
三星S5K33D I-TOF，带7μm像素全球快门在房子里

三星S5K33D I-TOF，具有7μm像素全球快门 - 图像传感器Techstream博客

Ray Fontaine，产品经理 - 图像传感器射线是世界上卓越的图像传感器技术专家之一，他定期发布图像传感器分析内容和TechInsights订阅者的评论。8月12日，2020年我们的团队
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12 八月
定为半导体行业的60年及其变化的专利战略

60年的半导体行业及其改变专利战略

贡献：Arabinda DAS今天，半导体行业是一个庞然大物，其年销售收入跨越4000亿美元。在其60年的存在之上，这种成熟的行业已经尝试过各种型号，如集成装置
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04. 八月
雪佛兰螺栓动力系综述

雪佛兰螺栓动力系综述

发布时间：7月9日，2020年供出：Sinjin Dixon-Warren，Phd电动车（EV）可能是汽车市场中的颠覆性技术。它们提供了提高能源效率和减少排放潜力的承诺
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09. 七月
内存过程网络研讨会：3D NAND字线焊盘（WLP）

内存过程网络研讨会：3D NAND字线焊盘（WLP）

星期三24日，2020 / 2:00下午6月24日。ET主持：Chi Lim Tan 3D NAND，或垂直NAND，其密度较高，每位成本更低，这一直是固态驱动器（SSD）的普及的推动力，如此，凭借创新和继续
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24 君
英特尔的10nm节点：过去，现在和未来 - 第2部分

英特尔的10nm节点：过去，现在和未来 - 第2部分

有些人说，在2017年的H2 - H1 2018 TimeFrame Intel的10nm节点是如此烘焙，该英特尔必须显着重新设计其10 NM工艺技术的后续产品。无论如何，一个SKU和有限的可用性为自己说话。
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17 君
Apple计算机：过渡到ARM Chips即将推出

Apple计算机：过渡到ARM Chips即将推出

Quand on dit ce mois-ci, c’est à l’occasion de la Conférence des développeurs qui se tiendra dans la semaine du 22 juin, un événement très important appelé WWDC ou Worldwide Developers Conference qui se tient en Californie, à San José ou à San
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11 君
回顾开创性的APA Optics GaN HEMT专利

回顾开创性的APA Optics GaN HEMT专利

发布时间：6月05日，2020年供出：Sinjin Dixon-Warren，Phd电力电子行业处于过渡时期。多年来，基于硅的设备主导了该行业，传统的Si MOSFET晶体管用于较低
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05. 君
Panasonic在专利货币化方面的专业知识从未如此重要

Panasonic在专利货币化方面的专业知识从未如此重要

像许多其他企业一样，由于Covid-19大流行，日本重量级是重大的经济压力，但它的利用其知识产权资产的长期记录可以证明储蓄恩典
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05. 君
网络研讨会：GaN的电力设备生态系统与IP景观综述

按需网络研讨会：GAN的电力设备生态系统与IP景观综述

5月27日星期三，2020 / 2:00下午ET主持：Sinjin Dixon-Warren电力电子行业在过渡时期。对于多年的硅基设备主导了该行业，具有传统的Si MOSFET晶体管用于
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27 可能
我

有效的NAND专利调查指南

由于波形和协议测试对于调查存储技术专利的使用证据至关重要，TechInsights的Martin Bijman和Neil MacLeod仔细研究了顶级NAND专利所有者的专利组合，以确定它们有何不同
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21 可能
解锁YMTC 64层3DXTacking®Nand闪存的秘密

解锁YMTC 64层3DXTacking®Nand闪存的秘密

介绍YMTC的第二代3D-NAND技术，它使用“XTacking”与内存阵列面对面绑定外围电路而不是旁边。如在半导体摘要中发表的。
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08. 可能
SIC功率晶体管工艺流程分析

SIC电源晶体管工艺流程分析：RoHM SCT30222ALGC11工艺流程

贡献作者：Sinjin Dixon-Warren碳化硅（SIC）电源晶体管的市场预计将在未来几年增长。SIC电源晶体管与传统的基于硅的设备有几个优点，包括
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05. 可能
专利组合管理:2020年的有效战略和最佳实践

专利组合管理:2020年的有效战略和最佳实践

4月29日 - 12：00-1：30 PM（et） - Live Webinar，“专利组合管理：由知识组托管的”专利组合管理：2020年的有效策略和最佳实践“。主要主题包括：专利组合管理趋势和发展，是一个重要的
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29 4月
选择合适的专利软件以获得更好的结果

选择合适的专利软件以获得更好的结果

市场上从未如此多的IP工具和技术助攻，但您如何决定哪些是哪些能够帮助您的业务？TechInsights的Martin Bijman解释道。
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29 4月
Qualcomm的Snapdragon SDR865收发器

Qualcomm Snapdragon SDR865收发器分析;支持5G Sub-6 GHz和LTE服务

Snapdragon 865平台是迄今为止最先进的5G芯片组，适用于5G，SUB-6，MMWAVE和LTE。4G / 5G动态频谱共享，将使“操作员通过使用现有的4G频谱控股来加速5G部署”
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27 4月
看着芯片上的Apple A12z仿生系统

看着芯片上的Apple A12z仿生系统

Apple A12z Bionic Soc只是A12x重命名，带有一个支持的GPU核心吗？当我们第一次在我们的实验室中获得Apple iPad Pro 2020 A2068时，这是我们想知道的第一件事。什么是A12Z？当我们看到A12Z时，视觉上没有
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15 4月
Exynos 990.

TechInsights在Samsung Exynos 990中确认三星的真实7LPP进程

三星电子去年表示，在Exynos 9825的7LPP工艺中引入了EUV技术。通过对零件的分析，我们发现9825的7LPP工艺与Exynos 9820的8LPP工艺相差不大。现在,我们
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18 三月
最近分析三星移动射频组件

最近分析三星移动射频组件

Shannon 5800 55M5800A01随着行业扩大其使用5G，三星继续在移动通信技术领域进行创新，包括RF收发器和MMWAVE的相控阵解决方案以及5G嵌入式移动处理器
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03. 三月
如果苹果受到冠状病毒的影响，其供应商和竞争对手可能也会受到影响

如果苹果受到冠状病毒的影响，其供应商和竞争对手可能也会受到影响

Apple Inc的惊喜警告认为，由于冠状病毒流行病，这可能会缺乏本季度的销售目标，因为它的芯片和其他供应商以及也依赖中国建立产品的竞争对手。
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18 2月
最近的Mediatek移动RF组件和分析

最近的Mediatek移动RF组件和分析

移动射频架构的复杂性不断增加，以支持多种标准，而且我们几乎在每一款新手机发布中都发现了新的移动射频组件。撰写本文时
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15 1月
在2020年，3D闪存将完全升级到100个多层堆栈

在2020年，3D闪存将完全升级到100个多层堆栈

有多少层可以3d闪存堆栈？正如摩天大楼不能无限期地堆积一样，3D闪存的层数也有限。
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08. 1月
通过OTP NVM确保智能连接家庭

通过OTP NVM确保智能连接家庭

盗版市场巨大，即使在硬件中实施安全性，黑客也变得越来越复杂。侵略者和保护者之间的种族是毫无端的战斗。智能连接的家用设备越来越多
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06. 1月
PC技术趋势2020-DRAM和Flash

PC技术趋势2020-DRAM和Flash

新年の幕開けに,パーソナルコンピュータのハードウェア技術の動向を占う“PCテクノロジートレンド”をお届けする。
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04. 1月
Apple即将添加第三个OLED供应商

Apple即将添加第三个OLED供应商

这笔交易已经酝酿多年了。自2017年初以来，中国京东方科技集团(BOE Technology Group)一直试图向苹果(Apple)供应用于iphone的OLED显示屏。
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31 12月
华为Mate 30 Pro 5G

华为Mate 30 Pro 5G拆解:整机销售6399元，BOM成本仅2799元

根据代理分析，4G版是华为的第一个没有我们零件的智能手机产品，而5G版仍然使用一些美国制造的组件，比例为...
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30. 12月
深度拆除华为Mate30 Pro 5G：来自日本的2,000多种组成部分

深度拆除华为Mate30 Pro 5G：来自日本的2,000多种组成部分

从BOM表中，整机的估计价格为395.71美元，相当于2800元，其中主控制芯片占整机价格的约51.9％。
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26 12月
高带宽内存的下一步是什么

高带宽内存的下一步是什么

分解记忆墙的不同方法。
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17 12月
对首尔半导体专利拍卖的分析显示出了混合资产

对首尔半导体专利拍卖的分析显示出了混合资产

首尔半导体最近将其脚趾浸入专利市场的销售方面，并宣布将拍卖两种专利包 - 在本月底和1月份的另一个专利包。
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12 12月
东芝-WD联盟3D NAND大规模生产将使用三星TCAT工艺

东芝-WD联盟3D NAND大规模生产将使用三星TCAT工艺

集微网消息（文件/ yuna），据印象手表网站报告，东芝在12月8日召开的IEDM会议上调在3D NAND闪存量产中间使用类似于三星TCAT的存储单位结构。
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12 12月
开发成功的许可计划

开发成功的许可计划

正如TechInsights的IP产品主任的第一次出版，Martin Bijman都解释了形式化的断言计划如何有益于权利持有人。
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25 11月
DRAM扩大挑战成长

DRAM扩大挑战成长

在作品中，更多节点和替代记忆，但时间表保持朦胧。
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21 11月
桌面彗星湖会在2020年2月出现吗?英特尔CPU路线图

桌面彗星湖会在2020年2月出现吗?英特尔CPU路线图

10月31日，TechInsights发布了一份题为《英特尔酷睿i7-1065G7“冰湖”10nm第2代处理器分析》的摘要报告。
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18 11月
kirin 990 5g核心数据曝光

Kirin 990 5G核心数据曝光：113.31平方毫米集成103亿晶体管

最近，华为发布了新的5G手机，伴侣30 5克系列。其kirin 990 5g soc的表现非常令人兴奋。最近，专业筹码研究所的TechInsights拆除了这款商业5G集成的SOC芯片。
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12 11月
网络研讨会：分析NAND Flash和SSD设备的技术

提示网络研讨会：分析NAND Flash和SSD设备的技术

日期：2019年11月6日至下午4:00至下午4:00 et：Neil Macleod和Marty Bijman内部探测，波形分析，以及更多的广泛采用和扩展数据中心使SSD市场推向了一段时间的高竞争和
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06. 11月
英特尔核心I7-1065G7“冰湖”10 NM +处理器分析

英特尔核心I7-1065G7“冰湖”10 NM 2ND Gen处理器分析

英特尔已将其前10名NM 2ND Gen处理器发布为消费产品 - 英特尔酷睿i7-1065G7处理器，更好地称为冰湖。戴尔和微软已经宣布将冰湖列入其中一些最新产品。这个
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31 10月
Apple iPhone 11,11 Pro＆11 Pro Max评论：性能，电池和相机升高

Apple iPhone 11,11 Pro＆11 Pro Max评论：性能，电池和相机升高

TechInsights现在正式发布了新的Apple A13的模具射击，我们可以在我们方面确认一些假设。
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27 10月
iPhone 11 Pro Max相机成本

TechInsights：iPhone 11 Pro Max Cameras花费73.5美元

TechInsights发布其对Apple iPhone 11 Pro Max组件的估算。摄像机似乎是昂贵的部分，价格为73.50美元。
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09. 10月
电动汽车是如何改变汽车行业的

电动汽车是如何改变汽车行业的

我们将与techhinsights的一些行业专家Morahari Reddy和Jianchun Xu一起分析市场，并关注不同方面。
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07. 10月
英特尔冰湖深度分析：六支柱的创新

电子政务:英特尔冰湖深度分析:六大支柱的创新

在今年的台北国际电脑展上，英特尔推出了第10代酷睿处理器，即10nm制程的冰湖处理器。
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07. 10月
SK hynix 96L 3D PUC NAND分析

SK hynix 96L 3D PUC NAND分析

在全球范围内的储存制造商中，SK Hynix目前拥有NAND闪存市场份额的第5个职位，10.3％。它们是释放9倍层NAND解决方案的最新功能，使用SK Hynix 96L 3D PUC Nand。SK Hynix'96L 3D PUC的开发
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27 九月
TechInsights分析iPhone 11摄像头

TechInsights分析iPhone 11摄像头

TechInsights发布了新的Apple iPhone 11 Pro Max Smartphone的拆除报告，其中包含一些信息：
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26 九月
Apple iPhone 11 Pro Teardowns看起来鼓励Stmicro和Sony

Apple iPhone 11 Pro Teardowns看起来鼓励Stmicro和Sony

STMicroelectronics and Sony似乎可以为Apple的最新旗舰iPhone提供四个筹码。许多其他历史的iPhone供应商也在最新的拆除时出现。
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26 九月
专利权：专利战斗机

专利权：专利战斗机

成功，高回报专利许可计划需要规划。Peter Hanschke的TechInsights提供了一个指南来实现它。
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23 九月
网络研讨会：准备许可证：使用工具来扩展许可计划

网络研讨会：准备许可证：使用工具来扩展许可计划

专利许可是一种经过验证的、真实的将专利组合货币化的方法，但那些将在从专利所有权到专利利润的道路上取得成功的人将不会
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19 九月
创新技术：微米

微米分析概述：LPDDR4 DDR4 3D NAND闪存和XPoint Reverseed

美光2018年营收为304亿美元，NAND闪存市场份额为16.5%，DRAM市场份额为23%，是存储和存储技术领域的最大参与者之一。对于那些想要支持他们产品的人
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17 九月
图形解决方案如何提高3D NAND有效器件密度

图形解决方案如何提高3D NAND有效器件密度

由Moore的定律驱动，记忆和逻辑芯片半导体制造商通过增加晶体管密度来降低产品成本并提高性能。
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16 九月
网络研讨会：功率半导体

网络研讨会：电力半导体 - 市场概览和深度SIC和GAN设备分析

上一篇广播：2019年9月10日星期二和2019年10月8日的星期二主持：建春徐和仙金迪克森 - 沃伦电力半导体市场估计到2025年底达到32亿美元。通过增加全球需求的推动
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10 九月
锂，技术的白金

锂，技术的白金

矿物坍塌的价格，但电池继续消耗这个白王。
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10 九月
移动制造：公司与高端赚多少钱？

移动制造：公司与高端赚多少钱？

多年来，高端智能手机在价格上涨，成为普通人的无法实现的设备。
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08. 九月
Peloton IPO预览：所有炒作，没有肌肉

Peloton IPO预览：所有炒作，没有肌肉

Peloton，生产和销售溢价，大屏幕，固定式健身自行车和跑步机，以及旨在使用该设备的课程的课程订阅，预计将在未来几个月的某个时间公开。
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03. 九月
UnMóvildeGamaAlta Se Vende Casi Al Triple de Lo Que Cuesta Fasticarlo

UnMóvildeGamaAlta Se Vende Casi Al Triple de Lo Que Cuesta Fasticarlo

UnTeléfonoMóvilSeVENDECASI TRES VECESMÁSCARODELUECECUESTA FASTARLO，Atendiendo Al Coste de Todos Los Componentes Que Integlean Estos Dissositivos，Desde LaBateríao lacámaraHastaELSISTemaOperativo Que Permite Que Funcionen Las
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02. 九月
一款高端手机的售价几乎是其生产成本的三倍

一款高端手机的售价几乎是其生产成本的三倍

考虑到构成这些设备的所有组件的成本，从电池或摄像头到允许应用程序运行的操作系统，一部手机的售价几乎是其生产成本的三倍
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02. 九月
对中国进口商品征收关税将于周日开始。新闻8会告诉你他们会花多少钱

对中国进口商品征收关税将于周日开始。新闻8会告诉你他们会花多少钱

星期天将是第一轮关税。几乎每月到年底，政府计划在不同物品上施加额外的关税。
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31 八月
为什么我一直在写传感器上的洞

为什么我一直在写传感器上的洞

Dpreview对FujifilM GFX 100中等格式相机的审查显示了具有死像空间用于相位检测自动对焦（PDAF）模块的后果的后果
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31 八月
Deca Technologies Fan-in VLP在Qualcomm PM8150

Deca Technologies Fan-in VLP在Qualcomm PM8150

发布时间：2019年8月29日，粉丝在WLP市场预计以稳定增长;2018年的2.9亿美元至44亿美元至2024美元，CAGR 6.5％。该市场的最近贡献者之一是Deca Technologies，其M系列扇出晶圆级包装
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29 八月
Velodene Lidar顽皮撕裂

Velodene Lidar顽皮撕裂

根据BIS Research, 2017年汽车激光雷达市场估计为3.53亿美元，预计到2028年将达到83.2亿美元。激光雷达市场将成为汽车领域竞争最激烈的领域之一
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22 七月
AC适配器：GaN，SIC或SI？

AC适配器：GaN，SIC或SI？

根据TechInsights对三种关键产品的分析，可以使用SiC、GaN和Si超级结器件构建高效、紧凑的交流适配器。
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16 七月
AMBIQ Micro Apollo 3蓝色超低功耗MCU

AMBIQ Micro Apollo 3蓝色超低功耗MCU

发布时间：2019年6月11日AMBIQ Micro Apollo 3蓝色超低功耗MCU MCU市场拥挤和竞争力，拥有全球越来越多的半导体公司在这项技术领域的研发花费;预计这一市场将在2019年达到〜20亿美元
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10 君
三星LPDDR4X 17 NM 1Y

来自三星，SK Hynix和Micron的1Y DDR4 DRAM

发布时间：2019年6月7日三星LPDDR4X 17 NM 1Y三星DDR4 17 NM 1Y Micron MT40A2G4SA-062E 8GB DDR4前3名DRAM制造商（三星，SK Hynix和Micron）于2017年和2018年达到了Sub-20 NM，引入了1X。一个新的里程碑是
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05. 君
索尼在图像传感器市场的霸主地位还能维持多久?

索尼在图像传感器市场的霸主地位还能维持多久?

不久前，Yuanta Research发布了全球CIS（CMOS图像传感器）的市场数据，指出其整体市场规模仍在迅速增长。
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05. 君
Qualcomm QTM052 MMWAVE天线模块

Qualcomm QTM052 MMWAVE天线模块

发布时间：2019年5月31日，高通公司QTM052 MMWVES天线模块Quarcomm声称通过将MMWVES技术将MMWVEAVE技术纳入小型高度集成的模块中的移动RF前端，“制造不可能的，可能”。有很多挑战
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31 可能
NAND技术：打开大门

NAND技术：打开大门

在60亿美元的NAND技术市场中，专利景观分析可以给公司的边缘，如Martin Bijman和TechInsights的Trevor Izsak解释。
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13 可能
识别和追求专利侵权者：使用技术证据构建您的断言活动

网络研讨会：识别和追求专利侵权者 - 使用技术证据构建您的断言活动

在它的心中，断言活动依赖于使用的证据（EOU），以证明持续侵权的存在。如果没有人使用专利组合所涵盖的技术，那么您的专利并不那么有价值。相反，当有柜会时，专利组合的价值更大。
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02. 可能
电动汽车获得牵引力，但仍然存在挑战

电动汽车获得牵引力，但仍然存在挑战

（半导体工程）预计电池供电的电动汽车将在2019年出货量达到一个里程碑，但该技术面临着几个重要的障碍，以获得市场上更广泛的采用。
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22 4月
9X层3D NAND分析

9X层3D NAND分析

Posted: April 10, 2019 TechInsights’ Analysis of Solutions from Samsung, Toshiba, and Intel/Micron TechInsights’ analysis has begun on the much-anticipated 9XL 3D NAND solutions, including: Samsung 92L 3D V-NAND Toshiba 96L 3D BiCS Intel/Micron 96L
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10 4月
高密度扇出封装技术-检查和比较

网络研讨会:高密度扇出封装技术-检验与比较

最初呈现：2019年4月9日至2:00至下午3:00 et托管：Michel Roy低密度扇出包技术已经存在十多年。由于RDL计数和线路空间/线宽的功能的限制，这
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09. 4月
3D NAND Metrologology挑战生长

3D NAND Metrologology挑战生长

（半导体工程）大挑战是表征3D NAND器件的内部部分，该内部包括复杂的材料，多层和微小沟道孔。然后，当您添加更多层时，计量挑战增加
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09. 4月
自治车辆正在推动创新

自治车辆正在推动创新

AVS的进步在多种技术领域中具有涟漪效应，从雷达和LIDAR到信号处理。然而，快速创新步伐也为汽车制造商创造了挑战。
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29 三月
西门子专利申请攀登，但质量超过数量是游戏的名称

西门子专利申请攀登，但质量超过数量是游戏的名称

2018年西门子跨越华为成为EPO的第一款文件，它自2011年以来尚未占用。它已经投入......
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25 三月
移动射频景观

网络研讨会：移动射频景观

最初呈现：2019年2月27日至3:00至下午4:00 et主持：John Sullivan专利和技术的角度，我们估计了移动射频（RF）市场价值约为19b。移动RF创新旨在改善
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27 2月
特斯拉准备将Maxwell的干电极创新应用于电池细胞制造

特斯拉准备将Maxwell的干电极创新应用于电池细胞制造

发布时间：2019年2月7日贡献作者：Marty Bijman和Jim Hines图1 - 特斯拉的投资组合，包括Maxwell和Solarcity收购图2 - Tesla Portfolio Landscapes，显示了哪些发明起源于特斯拉，孤主性，以及
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07. 2月
提示 - 寻找技术中使用的证据：良好，坏，丑陋

网络研讨会：寻找技术中使用的证据 - 善良，坏的和丑陋

最初呈现：2018年12月12日/ 00 PM至3:00 PM et主持：Martin Bijman TechInsights已确定使用超过6,000项独特专利的使用证据（EOU）。在这样做时，我们大大发展了我们对专利可以的理解
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12 12月
提示 - 利用技术证据加强专利

网络研讨会：利用技术证据加强专利

最初提出：2018年10月23日至2018 / 12:00至下午1:00托管：Mary Lupul专利加强是我们用来描述可以在起诉期间可以应用的不同方法来最大限度地提高专利的有用性
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23 10月
优化专利起诉以实现更强，更有价值的专利

网络研讨会：优化专利起诉以实现更强，更有价值的专利

最初呈现：2018年10月4日/晚上：下午1:00主办于：Martin Bijman＆George Pappas专利加强是指在起诉期间从专利中实现最大潜力的过程 -
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04. 10月
比较领先的STB，流设备和智能电视 - 设计和BOM视角

网络研讨会：将领先的STB，流设备和智能电视进行比较 - 设计和BOM视角

最初呈现：2018年9月18日/ 00 PM至3:00 PM et托管：Stacy Wegner具有显着的电线切割趋势，据说经营者如何响应和修改其产品，以保留流动诱惑的投资
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18 九月
汽车专利:车主、技术和EOU调查

汽车专利:车主、技术和EOU调查

最初呈现：2018年7月11日至2:00至下午3:00 et主持：Jim Hines汽车行业正面临着新的市场进入者的破坏，新兴的流动性商业模式以及改变对汽车所有权的消费者态度。未来
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11 七月
https://www.ipwatchdog.com/2018/06/20/creating-better-applications-patent-strengthing/id = 98439/

通过专利加强创造更好的应用程序

专利加强是我们用来指的术语，以指在检察机会期间从专利期间实现最大的价值潜力 - 在甚至被授予专利之前。
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20. 君
英特尔10nm逻辑过程分析(Cannon Lake)

英特尔10nm逻辑过程分析(Cannon Lake)

TechInsights发现了期待已久的佳能湖(Cannon Lake)——英特尔i3-8121U CPU内部的10nm逻辑过程，用于联想的IdeaPad330。这一创新具有以下特点:逻辑晶体管
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12 君
SK海力士72L 3D NAND分析

SK海力士72L 3D NAND分析

发布时间：2018年5月31日SK Hynix 72L 3D NAND Analysis SK Hynix声称创建了业界的首页72层256GB 3D NAND闪存。与48层3D TLC芯片相比，这一创新的块大小为50％，它具有较低的编程时间
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31 可能
TIPS -在具有挑战性的产品领域研究专利技术

网络研讨会：黑匣子揭示 - 在挑战产品领域调查专利技术

最初呈现：2018年5月3日至3:15 PM至4:00 PM ET主持：Martin Bijman“黑匣子揭示”是我们用来指的“硬质品” - 技术，这是一个原因或另一个难以分析使用证据。这些可以
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03. 可能
优步专利景观是什么样的？

优步专利景观是什么样的？

发布时间：2018年2月27日贡献作者：Marty Bijman最近，Iam的Timothy Au发布了一篇博客，提供了外观优步的投资组合。博客参考了优步的投资组合化妆，并在过去5年中提供了他们的IP事件的编年史
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27 2月
专利组合在2018年及以后的公司的关键考虑因素

网络研讨会：2018年及以后的公司的专利组合货币化关键考虑因素

专利强化是一个术语，指的是在诉讼过程中从专利中获得最大价值潜力的过程
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20. 2月
解锁软件专利中的价值 - 技术视角

网络研讨会：解锁软件专利中的价值 - 技术视角

Alice已经对软件专利产生了影响，但它们可以而且仍然具有重要的价值。如果你的作品集包括软件
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01. 2月
新冠肺炎

新冠肺炎

我们一直密切监测Covid-19最近几周的进度，定期更新我们的旅行和运营政策，包括我们选择实施的越来越严格的限制。我们的优先事项是确保持续的健康状况
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04. 三月

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